[發明專利]硅片的預處理方法及疊焊太陽能組件的制備方法有效
| 申請號： | 202010723818.1 | 申請日： | 2020-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN111834211B | 公開（公告）日： | 2023-09-29 |
| 發明（設計）人： | 白楊;王路闖;陶武松;郭志球 | 申請（專利權）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成麗杰 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉興市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 預處理 方法 太陽能 組件 制備 | ||
1.一種硅片的預處理方法，其特征在于，依次包括：
采用激光束對硅片待裂片部位的內部快速加熱，以使所述硅片待裂片部位的內部膨脹形成壓應力；
采用流體束對硅片待裂片部位的表面快速冷卻，以使所述硅片待裂片部位的表面收縮形成拉應力；
所述硅片在所述壓應力和所述拉應力的作用下發生裂片；
將硅片的至少一部分表面暴露于等離子體中，對所述硅片的至少一部分表面進行等離子體刻蝕，其中，所述硅片的至少一部分表面包括硅片發生裂片部位的表面；
其中，所述采用激光束對硅片待裂片部位的內部快速加熱的步驟依次包括：采用波長為320～400nm、功率為3～5W的紫外激光束對所述硅片待裂片部位的內部快速加熱；采用波長為1060～1100nm、功率為100～150W的紅外激光束對所述硅片待裂片部位的內部快速加熱；
所述硅片待裂片部位的內部與所述硅片待裂片部位的表面之間的距離為1～3mm。
2.根據權利要求1所述的硅片的預處理方法，其特征在于，所述采用流體束對硅片待裂片部位的表面快速冷卻的步驟中，所述流體束選自液態水、液態二氧化碳、液態氫、液氮、低溫惰性氣體、低溫二氧化碳氣體、低溫氫氣、低溫氮氣中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的硅片的預處理方法，其特征在于，所述流體束的溫度為20～30℃。
4.根據權利要求1所述的硅片的預處理方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕步驟在等離子體刻蝕機中進行。
5.根據權利要求4所述的硅片的預處理方法，其特征在于，形成所述等離子體的氣體至少包含CF4和O2，所述CF4的流量為100～120sccm/min，所述O2的流量為10～15sccm/min。
6.根據權利要求5所述的硅片的預處理方法，其特征在于，激發所述等離子體的高頻輝光的壓力為300～350Pa，功率為100～120W。
7.根據權利要求6所述的硅片的預處理方法，其特征在于，開啟所述高頻輝光的時間為10～18分鐘。
8.根據權利要求7所述的硅片的預處理方法，其特征在于，開啟所述高頻輝光的時間為14分鐘。
9.一種疊焊太陽能組件的制備方法，其特征在于，包括：
根據權利要求1至8中任一項所述的方法對硅片進行預處理，將預處理后的硅片采用疊焊技術制備成太陽能組件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
