[發明專利]硅異質結太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 202010723462.1
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112002779A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 徐琛
• 申請（專利權）人: 隆基綠能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0725;H01L31/0376;H01L31/20
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種硅異質結太陽能電池，其特征在于，包括：

晶硅基底；

至少形成在所述晶硅基底的一面上的本征非晶硅疊層；其中，所述本征非晶硅疊層包括層疊設置的至少三層本征非晶硅層；沿背離所述晶硅基底的方向，各層所述本征非晶硅層含有的氫元素含量逐漸減小。

2.根據權利要求1所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，沿背離所述晶硅基底的方向，各層所述本征非晶硅層的微結構因子逐漸降低。

3.根據權利要求1所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述本征非晶硅疊層中靠近所述晶硅基底的本征非晶硅層的厚度最小。

4.根據權利要求1-3所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述本征非晶硅疊層包括沿背離所述晶硅基底的方向層疊設置的第一本征非晶硅層、第二本征非晶硅層以及第三本征非晶硅層；

所述第一本征非晶硅層含有氫元素含量為20％-30％，所述第二本征非晶硅層中含有的氫元素含量14％-22％，所述第三本征非晶硅層中的氫元素含量為11％-17％。

5.根據權利要求4所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述第一本征非晶硅層中的微結構因子為63％-67％，所述第二本征非晶硅層中的微結構因子為16％-18％，所述第三本征非晶硅層中的微結構因子為9％-11％。

6.根據權利要求4所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述第一本征非晶硅層的厚度為0.5nm-1.5nm，所述第二本征非晶硅層的厚度為1.5nm-3nm，所述第三本征非晶硅層的厚度為4nm-10nm。

7.根據權利要求1所述的硅異質結太陽能電池，其特征在于，所述晶硅基底厚度為100μm-180μm，所述本征非晶硅疊層的厚度為6nm-20nm。

8.一種硅異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一晶硅基底；

在所述晶硅基底的一面上形成本征非晶硅疊層；所述本征非晶硅疊層包括層疊設置的至少三層本征非晶硅層；沿背離所述硅基底的方向，各層本征非晶硅層中的氫元素含量逐漸降低。

9.根據權利要求8所述的硅異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述在所述晶硅基底的一面上形成本征非晶硅疊層包括：

以硅烷為反應氣體，在所述晶硅基底的一面上沉積第一本征非晶硅層；

以硅烷為反應氣體，在所述第一本征非晶硅層上沉積第二本征非晶硅層；

以硅烷和氫氣為反應氣體，在所述第二本征非晶硅層上沉積第三本征非晶硅層。

10.根據權利要求9所述的硅異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于，在沉積第三本征非晶硅層時，所述反應氣體中硅烷和氫氣的流量比為(0.5-20)：1，沉積氣壓為50Pa-350Pa，沉積溫度為140℃-260℃。

11.根據權利要求8所述的硅異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述形成本征非晶硅疊層后，所述硅異質結太陽能電池的制作方法還包括；

利用含氫等離子體對所述本征非晶硅疊層中背離所述晶硅基底的表面進行處理。