[發(fā)明專利]用于靜電卡盤的多層的接地機構和相關方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010722741.6
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112289731A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設計）人: S·唐奈;J·萊辛斯基;陳俊泓;劉研
• 申請（專利權）人: 恩特格里斯公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 顧晨昕

1.一種多層靜電卡盤組合件，其包括：

電介質(zhì)層；

導電場涂層，其在所述電介質(zhì)層上方；

電極層，其在所述電介質(zhì)層下方；

絕緣體層，其在所述電極層下方；

聚合接合層，其在所述電介質(zhì)層下方和所述絕緣體層上方；

接地層，其在所述聚合接合層上方、所述電介質(zhì)層下方且電連接到所述導電場涂層；

接地引腳開口，其從所述絕緣體的位置通過所述聚合接合層延伸到所述接地層；以及

接地引腳，其位于所述接地引腳開口中，所述接地引腳電連接到所述接地層。

2.根據(jù)權利要求1所述的多層靜電卡盤組合件，其中所述接地層接觸所述聚合接合層的上部表面和所述電介質(zhì)層的下部表面。

3.根據(jù)權利要求1所述的多層靜電卡盤組合件，其中所述接地層是導電沉積薄膜。

4.根據(jù)權利要求1所述的多層靜電卡盤組合件，其中所述接地層是包括鎳、鎳合金、鈦、鋁、鋯、氮化鈦、氮化鋯或?qū)щ娞嫉某练e薄膜。

5.根據(jù)權利要求1所述的多層靜電卡盤組合件，其中所述接地層具有介于從100納米到10微米的范圍內(nèi)的厚度和介于從10納米到100微米的范圍內(nèi)的寬度。

6.根據(jù)權利要求1所述的多層靜電卡盤組合件，其中所述接地層在所述組合件的完整周邊周圍延伸而無中斷。

7.根據(jù)權利要求1所述的多層靜電卡盤組合件，其中所述接地層通過導電接地路徑電連接到所述導電場涂層，所述導電接地路徑從所述導電場涂層且在所述電介質(zhì)層的外徑表面上方延伸而連接到所述接地層。

8.根據(jù)權利要求1至7中任一權利要求所述的多層靜電卡盤組合件，其進一步包括在所述絕緣體下方的支撐所述絕緣體的基底。

9.根據(jù)權利要求1至7中任一權利要求所述的多層靜電卡盤組合件，其進一步包括在上部表面處的凸起。

10.一種方法，其包括：

在多層結構中形成接地引腳開口，所述多層結構包含電介質(zhì)層、安置于所述電介質(zhì)層下方的電極層、所述電極層下方的絕緣體層、安置于所述電介質(zhì)層和所述電極層下方和所述絕緣體層上方的聚合接合層，以及安置于所述聚合接合層上方、所述電介質(zhì)層下方且電連接到場涂層的接地層，所述接地引腳開口從所述絕緣體層的位置延伸通過所述聚合接合層且到所述接地層；以及

將接地引腳插入到所述接地引腳開口中且將所述接地引腳電連接到所述接地層。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述多層結構包括所述電介質(zhì)層上方的導電場涂層，且所述接地層電連接到所述導電場涂層。