[發明專利]存儲系統以及操作該存儲系統的方法

在審

• 申請號: 202010722682.2
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112542202A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 金鉉錫;金龍珠;禹洙海
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

本申請公開了一種存儲系統以及操作該存儲系統的方法。存儲系統包括存儲介質和存儲器控制器。存儲介質具有與主機的第一地址系統不同的第二地址系統。存儲器控制器基于來自主機的命令而執行控制操作以訪問存儲介質。存儲器控制器被配置為：當從存儲介質輸出的讀取數據的錯誤是不可校正的時，儲存與讀取數據的地址相對應的第二地址，并且被配置為：當由第二地址指定的存儲介質的區域是可修復的時，修復由第二地址指定的存儲介質的區域。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年9月23日提交的申請號為10-2019-0117090的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開的各種實施例總體而言涉及存儲系統以及操作該存儲系統的方法，更具體而言，涉及包括具有與主機的地址系統不同的地址系統的存儲介質的存儲系統以及操作該存儲系統的方法。

背景技術

近來，隨著包括多核中央處理單元、大容量的主存儲器件和高性能的輔助存儲器件的計算系統的性能改善，數據管理系統已經提高了其信息處理速度。然而，由于某些防止系統崩潰(這些崩潰的發生是不可預測的)的準備操作，因此這些計算系統尚未完全展現出其最高性能。因此，已經提出了與由動態隨機存取存儲(DRAM)器件和非易失性存儲(NVM)器件組成的混合存儲模塊相對應的非易失性雙列直插存儲模塊(NVDIMM)來解決上述問題，并且已經研究了各種技術來提高計算系統的性能。

每個NVDIMM可以具有如下的配置：將諸如NAND型快閃存儲器件或相變隨機存取存儲(PRAM)器件的NVM器件與具有DRAM器件的存儲模塊進行組合。盡管DRAM器件在電源中斷時會丟失其儲存的數據，但NVM器件即使在電源中斷時也可以永久地保持其儲存的數據。因此，即使NVDIMM的電源中斷，也可以安全地儲存和恢復在NVDIMM的操作期間生成的臨時數據。也就是說，每個NVDIMM都可以具有備份功能和儲存功能。

構成每個NVDIMM的存儲介質可以具有與主機的地址系統不同的地址系統。在這種情況下，當在訪問存儲介質期間不可通過錯誤校正操作校正來自存儲介質的讀取數據時，可能無法在存儲介質中找到關于讀取數據的第二地址的信息。因此，即使存儲介質可以通過修復操作來修復，由第一地址指定的與第二地址相對應的區域也可以被視為壞塊，而不需要對可能引起存儲介質不能被修復的問題的存儲介質應用任何修復處理。

發明內容

根據一個實施例，一種存儲系統包括存儲介質和存儲器控制器。存儲介質具有與主機的第一地址系統不同的第二地址系統。存儲器控制器基于來自主機的命令而執行控制操作以訪問所述存儲介質。存儲器控制器被配置為：當從所述存儲介質輸出的讀取數據的錯誤時不可校正的時，儲存與讀取數據的地址相對應的第二地址，并且被配置為：當由所述第二地址指定的存儲介質的區域是可修復的時，修復由第二地址指定的存儲介質的區域。

根據另一個實施例，提供了一種存儲系統，其包括存儲模塊。存儲模塊包括存儲介質和模塊控制器。存儲介質包括易失性存儲器件和非易失性存儲器件，所述易失性存儲器件和非易失性存儲器件中的至少一個具有與主機的第一地址系統不同的第二地址系統。模塊控制器基于來自主機的命令而執行控制操作以訪問存儲介質。存儲器控制器被配置為：當從存儲介質輸出的讀取數據的錯誤是不可校正的時，儲存與讀取數據的地址相對應的第二地址，并且被配置為：當由第二地址指定的存儲介質的區域是可修復的時，修復由第二地址指定的存儲介質的區域。

根據又一個實施例，提供了一種操作存儲系統的方法，所述存儲系統包括存儲介質，所述存儲介質具有與主機的第一地址系統不同的第二地址系統。所述方法包括：將從主機輸出的第一地址轉換為第二地址；訪問被儲存在由所述第二地址指定的存儲介質的區域中的讀取數據；當讀取數據是不可校正的時，儲存讀取數據的第二地址；以及當由第二地址指定的存儲介質的區域是可修復的時，修復由第二地址指定的存儲介質的區域。

附圖說明

參考附圖通過各種實施例來說明所公開技術的某些特征，其中：