[發明專利]一種太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統

在審

• 申請號: 202010722330.7
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111983814A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 邱洪榮;金浩程
• 申請（專利權）人: 常州市奧普泰克光電科技有限公司
• 主分類號: G02B27/09
• 分類號: G02B27/09
• 代理公司: 常州格策知識產權代理事務所(普通合伙) 32481
• 代理人: 徐靜

1.一種太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，包括：沿著光線入射方向依次設有三片球面鏡和兩片微透鏡，球面鏡分別包括第一球面鏡、第二球面鏡和第三球面鏡，第一球面鏡的出光面與第二球面鏡的入光面為邊緣接觸式連接，第二球面鏡的出光面與第三球面鏡的入光面之間設有間距，微透鏡包括第一微透鏡和第二微透鏡，第一微透鏡和第二微透鏡的相對鏡面的Y軸方向均設有球面陣列結構。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，第一球面鏡的入光面和出光面的曲率半徑為27.92±0.01mm，第二球面鏡的入光面的曲率半徑為136.02±0.01mm，第二球面鏡的出光面的曲率半徑為28.348±0.01mm，第三球面鏡的入光面的曲率半徑為81.8±0.01mm，第三球面鏡的出光面的曲率半徑為59.7±0.01mm。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，光源到第一球面鏡的入光面中心的間距為32.29±0.1mm，第二球面鏡的出光面中心與第三球面鏡的入光面中心之間的間距為4.62±0.1mm，第三球面鏡的出光面中心與第一微透鏡中心之間的間距為12.32±0.1mm。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，第一球面鏡的中心厚度為8±0.1mm,邊緣厚度為7.5±0.1mm，第二球面鏡的中心厚度為5±0.1mm，邊緣厚度為2.6±0.1mm，第三球面鏡的中心厚度為8±0.1，邊緣厚度為5.7±0.1mm。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，第一球面鏡、第二球面鏡和第三球面鏡的軸向長度為180~200mm。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，第一微透鏡的入光面為平面結構，出光面的Y軸方向為球面陣列結構，第二微透鏡的入光面的Y軸方向為球面陣列結構，出光面為平面結構；所述陣列球面的曲率半徑為1.1±0.01mm。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，第一微透鏡的中心與第二微透鏡的中心之間間距為6.23±0.1mm。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，第一微透鏡和第二微透鏡的中心厚度為2±0.1mm，高度為25±1mm，軸向長度為180~200mm，第一微透鏡的軸向與光線入射方向垂直。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池板硅基片表面檢測用光學系統，其特征在于，光線光源由半導體多模激光器發出，發散角NA＝0.22；波長=808nm；光纖纖徑=200μm，連接方式SMA905。