[發(fā)明專利]基于萘環(huán)的精確自降解兩親性嵌段寡聚物、合成方法及其應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010722020.5
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111848947B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉世勇;呂長柱
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號: C08G65/48
• 分類號: C08G65/48;C07C271/30;C07C269/02;C08G83/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 關(guān)旭穎

1.一種式1的兩親性嵌段寡聚物，

其中，

n為1、2、3或4，并且

R選自：

2.一種制備根據(jù)權(quán)利要求1所述的兩親性嵌段寡聚物的方法，所述方法包括：

(1)使式(i)的單體與式(ii)的光觸發(fā)基元反應(yīng)，得到的產(chǎn)物在對甲苯磺酸作用下脫除保護(hù)基以繼續(xù)與所述單體反應(yīng)，得到寡聚物中間體

(2)使所述寡聚物中間體與式(iii)的支化甘醇部分反應(yīng)，得到所述兩親性嵌段寡聚物

其中n為1、2、3或4，并且

R選自：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中

使式(i)的單體與式(ii)的光觸發(fā)基元在二丁基二月桂酸錫(DBTL)的存在下在70～110℃反應(yīng)2～8小時并且

使寡聚物中間體與式(iii)的支化甘醇部分在二丁基二月桂酸錫(DBTL)的存在下在70～110℃反應(yīng)2～8小時。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中式(i)的單體與式(ii)的光觸發(fā)基元的摩爾比為1:1～4:1。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述寡聚物中間體與式(iii)的支化甘醇部分的摩爾比為1:1～1:4。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中式(i)的單體與式(ii)的光觸發(fā)基元的反應(yīng)在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中寡聚物中間體與式(iii)的支化甘醇部分的反應(yīng)在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行。

8.一種通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的兩親性嵌段寡聚物自組裝制備的組裝體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組裝體，其中所述寡聚物為式(I)的寡聚物

所述組裝體是片層狀組裝體。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組裝體，其中所述片層狀組裝體的高度為1～20nm。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組裝體，其中所述片層狀組裝體的高度為5nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組裝體，其中所述寡聚物為式(II)的寡聚物

所述組裝體是納米帶狀組裝體。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組裝體，其中所述寡聚物為式(III)的寡聚物

所述組裝體是長線狀組裝體。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的組裝體，其中所述長線狀組裝體的長度為50nm～2000nm。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的組裝體，其中所述長線狀組裝體具有螺旋結(jié)構(gòu)。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組裝體，其中所述寡聚物為式(IV)的寡聚物

所述組裝體是具有手性消光效應(yīng)的組裝體。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的組裝體，其中所述組裝體具有手性消光效應(yīng)、光學(xué)活性和圓二色譜信號。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的兩親性嵌段寡聚物或者根據(jù)權(quán)利要求8-17中任一項所述的組裝體，其中在紫外光輻照下，所述寡聚物的分子鏈發(fā)生降解，或者所述組裝體發(fā)生解體。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的兩親性嵌段寡聚物或組裝體，其中紫外光的波長為200nm～400nm。