[發明專利]一種純鈷類水滑石化合物及其制備方法

有效

• 申請號: 202010721723.6
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111792678B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 李達林;宛春生;江莉龍
• 申請（專利權）人: 福州大學
• 主分類號: C01G51/00
• 分類號: C01G51/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 林文弘;蔡學俊

本發明涉及類水滑石化合物制備技術領域，公開了一種純鈷類水滑石化合物及其制備方法。采用恒定pH沉淀法，以硝酸鈷為鈷源、甲醇–水（體積比1:1–8:1）混合溶液為溶劑，在室溫下將硝酸鈷溶液緩慢滴加到碳酸鈉溶液并調節溶液pH=8–12，經過水熱老化、抽濾、洗滌、干燥等步驟，即得純鈷類水滑石。所述類水滑石晶相單一、結構規整，呈現良好的層狀結構和片狀形貌，納米片平均厚度為5.9–12.8 nm，具有較高的結晶度。本發明的制備工藝簡單、易操作，原料廉價易得，制備條件溫和，周期短，類水滑石的純度和產率高，可實現定量合成。

技術領域

本發明屬于類水滑石制備技術領域，具體涉及一種純鈷類水滑石化合物及其制備方法。

背景技術

類水滑石化合物是由帶正電類水鎂石層板與層間陰離子通過靜電相互作用而形成的一類層狀化合物，其結構式可表示為[M2+1?xM3+ x(OH)₂][A^n?]_x/n·zH₂O，其中M²⁺為Mg²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Cu²⁺、Zn²⁺等，M³⁺為Al³⁺、Fe³⁺、Mn³⁺、Ga³⁺等，A^n?為CO₃^2–、NO₃^–、Cl^–以及有機陰離子等。類水滑石化合物由于其結構的特殊性表現出獨特的物理化學性質，如層板陽離子和層間陰離子可調變性、層間陰離子的可交換性、“記憶效應”等，被廣泛用于陰離子交換材料、生物醫藥材料、傳感器、功能助劑、吸附材料和催化材料等領域。