[發明專利]固體電解質電容器及其制造方法

在審

• 申請號: 202010721467.0
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112863881A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 洪珍浩;金鉛洙;權五春;吳賢燮
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G9/052
• 分類號: H01G9/052;H01G9/15
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 趙曉旋;孫麗妍

1.一種固體電解質電容器，包括：

燒結體，包含金屬；以及

導電聚合物層，設置在所述燒結體上，

其中，所述導電聚合物層在所述燒結體的邊緣部分中的厚度t2與所述導電聚合物層在所述燒結體的中央部分中的厚度t1之比t2/t1滿足0.35≤t2/t1≤0.9。

2.根據權利要求1所述的固體電解質電容器，其中，所述導電聚合物層在所述燒結體的所述邊緣部分中的厚度t2為3μm至20μm。

3.根據權利要求1所述的固體電解質電容器，其中，所述導電聚合物層包括聚吡咯、3,4-乙烯二氧噻吩或聚苯胺。

4.根據權利要求1所述的固體電解質電容器，其中，所述導電聚合物層包括石墨烯、碳納米管和炭黑中的任意一種或更多種導電顆粒。

5.根據權利要求4所述的固體電解質電容器，其中，相對于所述導電聚合物層的100wt％的聚合物固體含量，所述導電聚合物層包括大于等于5wt％且小于等于25wt％的量的所述導電顆粒。

6.根據權利要求1-5中任意一項所述的固體電解質電容器，其中，所述導電聚合物層包括BaTiO₃、Al₂O₃、SiO₂和ZrO₂中的任意一種或更多種氧化物。

7.根據權利要求1-5中任意一項所述的固體電解質電容器，其中，所述金屬包括從由鉭、鋁、鈮、釩、鈦和鋯組成的組中選擇的一種或更多種。

8.根據權利要求1-5中任意一項所述的固體電解質電容器，所述固體電解質電容器還包括：

碳層，設置在所述導電聚合物層上；以及

銀層，設置在所述碳層上。

9.一種固體電解質電容器的制造方法，包括以下操作：

通過燒結包含金屬粉末的模制體形成燒結體；以及

在所述燒結體上形成導電聚合物層，以使所述導電聚合物層在所述燒結體的邊緣部分中的厚度t2與所述導電聚合物層在所述燒結體的中央部分中的厚度t1之比t2/t1滿足0.35≤t2/t1≤0.9。

10.根據權利要求9所述的固體電解質電容器的制造方法，其中，所述導電聚合物層在所述燒結體的所述邊緣部分中的厚度t2為3μm至20μm。

11.根據權利要求9所述的固體電解質電容器的制造方法，其中，所述導電聚合物層包括聚吡咯、3,4-乙烯二氧噻吩或聚苯胺。

12.根據權利要求9所述的固體電解質電容器的制造方法，其中，所述導電聚合物層包括石墨烯、碳納米管和炭黑中的任意一種或更多種導電顆粒。

13.根據權利要求12所述的固體電解質電容器的制造方法，其中，相對于所述導電聚合物層的100wt％的聚合物固體含量，所述導電聚合物層包括大于等于5wt％且小于等于25wt％的量的所述導電顆粒。

14.根據權利要求9-13中任意一項所述的固體電解質電容器的制造方法，其中，所述導電聚合物層包括BaTiO₃、Al₂O₃、SiO₂和ZrO₂中的一種或更多種氧化物。

15.根據權利要求9-13中任意一項所述的固體電解質電容器的制造方法，其中，所述金屬粉末包括從由鉭、鋁、鈮、釩、鈦和鋯組成的組中選擇的一種或更多種。