[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010721417.2
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN112466923A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 星保幸
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張欣;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

有源區，其有主電流流通；

柵極環區，其包圍所述有源區的周圍；

環區，其包圍所述柵極環區的周圍；以及

終端區，其包圍所述環區的周圍，

所述有源區具有：

第一導電型的半導體基板；

第一導電型的第一半導體層，其設置于所述半導體基板的正面，且雜質濃度比所述半導體基板的雜質濃度低；

第二導電型的第二半導體層，其設置于所述第一半導體層的、與所述半導體基板側相反側的表面；

第一導電型的第一半導體區，其選擇性地設置于所述第二半導體層的、與所述半導體基板側相反側的表面層；

柵極絕緣膜，其與所述第二半導體層接觸；

第一柵電極，其設置于所述柵極絕緣膜的、與所述第二半導體層接觸的面相反側的表面；

層間絕緣膜，其設置于所述第一柵電極上；

第一個第一電極，其設置于所述第二半導體層和所述第一半導體區的表面；

第一鍍膜，其選擇性地設置于所述第一個第一電極上；以及

第二電極，其設置于所述半導體基板的背面，

所述柵極環區具有：

所述半導體基板；

所述第一半導體層；

所述第二半導體層；

第一絕緣膜，其與所述第二半導體層接觸；

第二柵電極，其設置于所述第一絕緣膜的、與所述第二半導體層接觸的面相反側的表面；以及

柵極布線電極，其設置于所述第二柵電極上，

所述環區具有：

所述半導體基板；

所述第一半導體層；

所述第二半導體層；

第二個第一電極，其設置于所述第二半導體層的表面；以及

第二鍍膜，其設置于所述第二個第一電極上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述有源區還具有溝槽，所述溝槽貫穿所述第一半導體區和所述第二半導體層，并到達所述第一半導體層，

所述第一柵電極隔著所述柵極絕緣膜設置于所述溝槽的內部。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極環區具有未設置所述柵極布線電極的隔斷區域，

在所述隔斷區域設置有將所述第一個第一電極與所述第二個第一電極電連接的第一短路電極。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，在所述隔斷區域，未設置所述第二柵電極。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述柵極布線電極上局部地設置有第二絕緣膜，

在所述第二絕緣膜上設置有將所述第一個第一電極與所述第二個第一電極電連接的第一短路電極。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第一鍍膜上設置有第一焊料，

在所述第一焊料上設置有第一電極引腳，

在所述第二鍍膜上設置有第二焊料，

在所述第二焊料上設置有第二電極引腳，

所述半導體裝置設置有將所述第一電極引腳與所述第二電極引腳電連接的第二短路電極。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二個第一電極與所述第二半導體層的表面接觸的部分的面積比所述第一個第一電極與所述第二半導體層和所述第一半導體區的表面接觸的部分的面積大2倍以上。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述有源區為矩形的形狀，

在包圍所述有源區和所述柵極環區的周圍的所述環區的角部，所述第二個第一電極的寬度比所述第二個第一電極的直線部的寬度寬。