[發明專利]一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊

在審

• 申請號: 202010721380.3
• 申請日: 2020-07-24
• 公開（公告）號: CN111787695A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 姚二現;王立;李宇柱;黃全全;楊金龍;劉克明
• 申請（專利權）人: 南瑞聯研半導體有限責任公司
• 主分類號: H05K1/18
• 分類號: H05K1/18
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 母秋松

1.一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，包括：下殼體，其特征在于：所述下殼體設置在金屬基板上，下殼體內設置有多個間隔，每個間隔內設置有絕緣陶瓷襯板，每塊絕緣陶瓷襯板上設置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片構成一個半橋電路，多個半橋電路構成一個全橋電路；所述下殼體兩端分別嵌入有功率端子，功率端子的末端與絕緣陶瓷襯板相連接；所述信號端子嵌入間隔內設置的橫梁，信號端子末端分別與絕緣陶瓷襯板相連接。

2.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述信號端子包括：信號端子頭部、信號端子腳部，信號端子頭部從橫梁頂部伸出，所述信號端子腳部從橫梁底部伸出，信號端子腳部采用多個折彎的結構。

3.根據權利要求2所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述信號端子腳部的厚度小于信號端子頭部。

4.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述下殼體采用塑料材質。

5.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述金屬基板上設置有安裝孔。

6.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述下殼體上設置有安裝立柱。

7.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述下殼體上設置有定位柱。

8.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述功率端子和信號端子均通過超聲焊接方式與絕緣陶瓷襯板銅層連接。

9.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述信號端子與橫梁一體成型。

10.根據權利要求1所述的一種采用超聲焊接端子的半導體功率模塊，其特征在于：所述下殼體上設置卡接部件。