[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010720748.4 | 申請日： | 2020-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN112466922A | 公開（公告）日： | 2021-03-09 |
| 發明（設計）人： | 星保幸 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 張欣;金玉蘭 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
有源區，其有主電流流通；
柵極環區，其包圍所述有源區的周圍；
環區，其包圍所述柵極環區的周圍；以及
終端區，其包圍所述環區的周圍，
所述有源區具有：
第一導電型的半導體基板；
第一導電型的第一半導體層，其設置于所述半導體基板的正面，且雜質濃度比所述半導體基板的雜質濃度低；
第二導電型的第二半導體層，其設置于所述第一半導體層的與所述半導體基板側相反側的表面；
第一導電型的第一半導體區，其選擇性地設置于所述第二半導體層的與所述半導體基板側相反側的表面層；
柵極絕緣膜，其與所述第二半導體層接觸；
第一柵電極，其設置于所述柵極絕緣膜的與所述第二半導體層接觸的面相反側的表面；
層間絕緣膜，其設置于所述第一柵電極上；
第一個第一電極，其設置于所述第二半導體層和所述第一半導體區的表面；以及
第二電極，其設置于所述半導體基板的背面，
所述環區具有：
所述半導體基板；
所述第一半導體層；
所述第二半導體層；
第二個第一電極，其設置于所述第二半導體層的表面；以及
第二導電型的第三半導體區，其以與所述第二半導體層接觸的方式設置于所述第一半導體層的表面，且雜質濃度比所述第二半導體層的雜質濃度高，
在所述環區中，在所述第三半導體區的底面的與所述第二個第一電極對置的位置設置有第一導電型或第二導電型的第二半導體區。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述環區還具有第二溝槽，所述第二溝槽貫穿所述第一半導體區和所述第二半導體層，并到達所述第三半導體區，
所述第二個第一電極設置于所述第二溝槽的內部。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二半導體區在俯視時呈四邊形，且邊部也設置有角部。
4.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
有源區，其有主電流流通；
柵極環區，其包圍所述有源區的周圍；
環區，其包圍所述柵極環區的周圍；以及
終端區，其包圍所述環區的周圍，
所述有源區具有：
第一導電型的半導體基板；
第一導電型的第一半導體層，其設置于所述半導體基板的正面，且雜質濃度比所述半導體基板的雜質濃度低；
第二導電型的第二半導體層，其設置于所述第一半導體層的與所述半導體基板側相反側的表面；
第一導電型的第一半導體區，其選擇性地設置于所述第二半導體層的與所述半導體基板側相反側的表面層；
柵極絕緣膜，其與所述第二半導體層接觸；
第一柵電極，其設置于所述柵極絕緣膜的與所述第二半導體層接觸的面相反側的表面；
層間絕緣膜，其設置于所述第一柵電極上；
第一個第一電極，其設置于所述第二半導體層和所述第一半導體區的表面；以及
第二電極，其設置于所述半導體基板的背面，
所述環區具有：
所述半導體基板；
所述第一半導體層；
所述第二半導體層；
第二個第一電極，其設置于所述第二半導體層的表面；以及
第二導電型的第三半導體區，其以與所述第二半導體層接觸的方式設置于所述第一半導體層的表面，且雜質濃度比所述第二半導體層的雜質濃度高，
在所述環區中，在與所述第二個第一電極對置的位置中由所述第一半導體層和所述第三半導體區構成的pn結處設置有壽命控制區。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述壽命控制區的所述第二電極側的面到達所述半導體基板。
6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述環區還具有第二溝槽，所述第二溝槽貫穿所述第一半導體區和所述第二半導體層，并到達所述第三半導體區，
所述第二個第一電極設置于所述第二溝槽的內部。
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