[發明專利]基于形狀記憶合金的調控類電磁誘導透明譜線裝置及方法有效
| 申請號: | 202010719911.5 | 申請日: | 2020-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN111952697B | 公開(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發明(設計)人: | 付全紅;胡玉錦;楊蕤生;樊元成;張富利 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學深圳研究院;西北工業大學 |
| 主分類號: | H01P1/18 | 分類號: | H01P1/18 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區粵海街道高*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 形狀 記憶 合金 調控 電磁 誘導 透明 線裝 方法 | ||
1.一種基于形狀記憶合金超表面調控類電磁誘導透明譜線裝置,其特征在于包括銅膜外框(1)和形狀記憶合金內框(2);形狀記憶合金內框位于銅膜外框之內,形狀記憶合金的形狀為:T形結構倒插入帶缺口的結構;由銅膜外框引入一個明單元諧振,激發不同溫度狀態下的形狀記憶合金結構的暗單元諧振,在波導環境中實現類電磁誘導透明效應;所述形狀記憶合金結構的T形結構在0°至ω角度實現可逆變換;
所述銅膜外框(1)和形狀記憶合金內框(2)一同粘接在特氟龍基板(3)上;
所述透明譜線裝置的制造方法步驟如下:
步驟1:通過印刷電路板技術將銅膜打印到特氟龍基板上;采用金屬線切割加工T形結構倒插入帶缺口的矩形形狀記憶合金形狀;
步驟2:將記憶合金結構冷卻至馬氏體相變結束溫度,Mf=20℃以下;
步驟3:在馬氏體相狀態下加載應力使形狀記憶合金結構中的“T”字向上旋轉至ω角度;
步驟4:在加載狀態下加熱結構單元至奧氏體相變結束溫度即Af=35℃以上,再 冷卻至馬氏體相變結束溫度以下;
步驟5:重復10次以上步驟2~3,使形狀記憶合金結構中的“T”字具有雙程記憶效應;
步驟6:將記憶合金結構粘接在特氟龍基板的銅膜外框之內。
2.根據權利要求1所述基于形狀記憶合金超表面調控類電磁誘導透明譜線裝置,其特征在于:所述銅膜外框(1)的厚度為0.035mm。
3.根據權利要求1所述基于形狀記憶合金超表面調控類電磁誘導透明譜線裝置,其特征在于:所述形狀記憶合金內框(2)的厚度為0.3mm。
4.根據權利要求1或3所述基于形狀記憶合金超表面調控類電磁誘導透明譜線裝置,其特征在于:所述銅膜外框(1)的邊長L=17mm,每邊寬度W=1mm。
5.根據權利要求1或4所述基于形狀記憶合金超表面調控類電磁誘導透明譜線裝置,其特征在于:所述形狀記憶合金內框(2)的T形結構兩個寬度為w2=1mm,w3=0.8mm,長度為l2=9mm,h2=5mm;帶缺口的結構的寬度為w1=0.5mm,非缺口邊為l1=14mm,兩邊為h1=3mm,缺口每邊為l3=6.3mm。
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