[發(fā)明專利]一種超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010719592.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN111834514A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周卓;任真?zhèn)?/a>;吳雙彪;王智;代騫;楊輝;方明洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國振華集團(tuán)永光電子有限公司（國營第八七三廠）
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52
• 代理公司: 貴州派騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 52114
• 代理人: 周黎亞

1.一種超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管的制造方法，制造流程為：光學(xué)仿真→排框架→擴(kuò)晶→固晶→前固化→焊線→備膠→框架粘膠→灌膠→插框架→壓框架→烘烤→離?！蠊袒肭小鷹l測→全切；其特征在于，

所述固晶為：將芯片固定在產(chǎn)品支架燈杯處，起到相應(yīng)的電氣連接作用；并通過增加銀漿量，來減小芯片與膠體表面之間的距離，從而減小膠體聚焦作用對(duì)半強(qiáng)度角的影響；

所述焊線為：將金線兩端分別打在芯片電極和框架上，使得芯片電極和框架之間形成正確的電性連接，焊線時(shí)嚴(yán)格控制線弧高度。

2.如權(quán)利要求1所述的超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管的制造方法，其特征在于，所述固晶時(shí)嚴(yán)格控制芯片偏移不超過15°，芯片傾斜不超過5°，防止芯片偏移及芯片傾斜均會(huì)導(dǎo)致半強(qiáng)度角發(fā)生變化。

3.如權(quán)利要求1所述的超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管的制造方法，其特征在于，所述焊線時(shí)嚴(yán)格控制線弧高度在1倍芯片高度與2倍芯片高度之間，即1h≤H≤2h，其中h指芯片高度，H指線弧高度。

4.如權(quán)利要求1所述的超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管的制造方法，其特征在于，具體包括以下制作流程：

(1)光學(xué)仿真：根據(jù)光學(xué)原理分析對(duì)該紅外發(fā)射管進(jìn)行光學(xué)仿真，設(shè)計(jì)紅外發(fā)射管封裝外形、支架的結(jié)構(gòu)、封裝材料；

(2)排框架：檢查設(shè)計(jì)制作的支架有無不良現(xiàn)象，并將設(shè)計(jì)制作的支架排列到固晶夾具中；

(3)擴(kuò)晶：增大芯片間距，確保芯片間距為0.6mm～1.0mm；

(4)固晶：將芯片固定在產(chǎn)品支架燈杯處，起到相應(yīng)的電氣連接作用；固晶時(shí)，通過增加銀漿量，來減小芯片與膠體表面之間的距離，使距離≤3mm，以減小膠體聚焦作用對(duì)半強(qiáng)度角的影響；固晶時(shí)，嚴(yán)格控制芯片偏移不超過15°，芯片傾斜不超過5°，防止芯片偏移及芯片傾斜導(dǎo)致半強(qiáng)度角發(fā)生變化；

(5)前固化：將固好晶的芯片放入烤箱中烘烤，使銀漿固化；

(6)焊線：通過焊線方式，將金線兩端分別打在芯片電極和框架上，使得芯片電極和框架之間形成正確的電性連接；由于芯片與膠體表面設(shè)計(jì)上較近，為防止焊線漏出膠體，焊線時(shí)需嚴(yán)格控制線弧高度1h≤H≤2h，其中h指芯片高度，H指線弧高度；

(7)備膠：配置特殊折射率高的膠水，用真空箱抽除膠水中的多余氣體；

(8)框架粘膠：對(duì)產(chǎn)品框架燈杯處進(jìn)行初步沾膠工作，防止在后續(xù)灌膠工序中燈杯處產(chǎn)生氣泡，避免氣泡對(duì)半強(qiáng)度角、輻射強(qiáng)度及可靠性的影響；

(9)灌膠：使用灌膠機(jī)將膠水填充入模條上的模腔中；

(10)插框架：將框架頂部朝下插入已灌膠好的模條中；

(11)壓框架：將支架稍微用力往下壓入模條中，使其頂部芯片深入模腔膠水中，形成一定的保護(hù)效果；嚴(yán)格控制壓框架力度，防止壓力過大導(dǎo)致卡點(diǎn)壓低，半強(qiáng)度角受影響，應(yīng)平衡用力和力度要輕；

(12)烘烤：通過加熱烘烤，使膠水固化成形；成形后的紅外發(fā)射管膠體外形為平頭；

(13)離模：將烘烤后的支架及頭部膠體一起從模條中拔出；

(14)后固化：對(duì)離模后的產(chǎn)品進(jìn)行長時(shí)間烘烤，使膠水完全固化達(dá)到較好的強(qiáng)度要求和密封性能；

(15)半切：用半切機(jī)將固化好的框架中每只產(chǎn)品的正極/負(fù)極腳位連接框架底部的部分切掉一小段，以便進(jìn)行后邊的電性能檢測工作；

(16)條測：將半切后之成品進(jìn)行初步電參數(shù)測試，挑選出不合格品；

(17)全切：將框架未切腳的腳位切掉一小段，使產(chǎn)品脫離框架，得到單只成品。

5.如權(quán)利要求1所述的超大半強(qiáng)度角的支架式紅外發(fā)射管的制造方法，其特征在于，所述支架的設(shè)計(jì)為：支架由20只紅外發(fā)射管引線組成，每只紅外發(fā)射管引線由正極引線、負(fù)極燈杯、負(fù)極引線組成，設(shè)計(jì)燈杯處深度，盡量減小芯片與環(huán)氧樹脂表面之間的距離，以降低環(huán)氧樹脂對(duì)芯片輻射強(qiáng)度的影響；設(shè)計(jì)引線框架燈杯處表面鍍層，使表面鍍層更加光滑，反射效果更好，可將全反射回來的光線再次反射回空氣中，以提升半強(qiáng)度角及輻射強(qiáng)度。