[發(fā)明專利]具有垂直晶體管的存儲(chǔ)器陣列及其形成

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010719251.0
• 申請(qǐng)日: 2020-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN112289355A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F·A·席賽克-艾吉;S·V·科萊;S·J·德爾納;T·D·羅布斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C11/4063
• 分類號(hào): G11C11/4063;G11C5/06;G11C5/02
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種包含垂直晶體管的設(shè)備，包括：

存儲(chǔ)器單元，耦合到第一層級(jí)(219)處的第一數(shù)字線(218-1、218-2)；

第二數(shù)字線(220-1、220-2)，耦合到主讀出放大器(254)的第二層級(jí)(221)處；

電荷共享裝置(222-1、222-2)，位于所述第一和第二層級(jí)之間的第三層級(jí)(230)處，并且耦合到所述第一數(shù)字線(218-1、218-2)和連接器(223-1、223-2)；

垂直晶體管(235-1、235-2)，位于所述第三層級(jí)(230)處，并且耦合在所述第一數(shù)字線(218-1、218-2)和所述連接器(223-1、223-2)之間；以及

觸點(diǎn)(224-1、224-2)，耦合在所述連接器(223-1、223-2)和所述第二數(shù)字線(220-1、220-2)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括所述第一層級(jí)處的總線(225、525)，其中所述電荷共享裝置包括位于所述第三層級(jí)處并且耦合在所述總線和所述連接器之間的附加垂直晶體管(228-1、228-2、235-1、235-2、238-1、238-2、656)；并且

所述附加垂直晶體管的柵極(467)耦合到所述第一數(shù)字線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述附加垂直晶體管包括完全圍繞第一半導(dǎo)體柱(358、465)的柵極；并且

耦合在所述第一數(shù)字線和所述連接器之間的所述垂直晶體管包括：

平面柵極，包括在第二半導(dǎo)體柱(358)的相對(duì)側(cè)上的導(dǎo)體(357-1、357-2)，使得所述平面柵極不完全包圍所述第二半導(dǎo)體柱；或者

完全包圍第三半導(dǎo)體柱(465)的柵極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括：

位于所述第二和第三層級(jí)之間的第四層級(jí)(226)處的總線；以及

位于所述第三層級(jí)(230)處并且耦合在所述總線和所述第一數(shù)字線之間的附加垂直晶體管(235-1、235-2)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器單元包括水平平面晶體管(242-1、242-2)和存儲(chǔ)元件(250-1、250-2)，所述平面晶體管耦合在所述第一數(shù)字線和所述存儲(chǔ)元件之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述垂直晶體管是垂直薄膜晶體管TFT，并且其中與全平面裝置分級(jí)數(shù)字線集成中占據(jù)的相當(dāng)面積相比，所述垂直TFT的所述第一數(shù)字線和所述第二數(shù)字線之間的所述連接和所述觸點(diǎn)的面積少二至四(2-4)倍。

7.一種包含垂直晶體管的設(shè)備，包括：

多個(gè)交替的第一和第二數(shù)字線(220-1、220-2)，位于第一層級(jí)(221)處，所述第一和第二數(shù)字線中的每一個(gè)耦合到主讀出放大器(254)；

多個(gè)交替的第三和第四數(shù)字線(218-1、218-2)，位于第二層級(jí)(219)處；

多個(gè)交替的第一(222-1)和第二(222-2)電荷共享裝置，在公共軸(253)上對(duì)齊并且共同耦合到所述第二層級(jí)(219)處的總線(225、525)；

多個(gè)交替的第一和第二連接器(223-1、223-2)，位于所述第一和第二層級(jí)之間的第三層級(jí)(226)處；以及

多個(gè)交替的第一和第二觸點(diǎn)(224-1、224-2)，其中：

每個(gè)相應(yīng)的第一連接器(223-1)耦合到相應(yīng)的第一電荷共享裝置(222-1)并且選擇性地耦合到相應(yīng)的第三數(shù)字線(218-1)；

每個(gè)相應(yīng)的第二連接器(223-2)耦合到相應(yīng)的第二電荷共享裝置(222-2)并且選擇性地耦合到相應(yīng)的第四數(shù)字線(218-2)；

每個(gè)相應(yīng)的第一觸點(diǎn)(224-1)耦合在相應(yīng)的第一連接器(223-1)和相應(yīng)的第一數(shù)字線(220-1)之間；

每個(gè)相應(yīng)的第二觸點(diǎn)(224-2)耦合在相應(yīng)的第二連接器(223-2)和相應(yīng)的第二數(shù)字線(220-2)之間；并且

所述第一和第二觸點(diǎn)圍繞所述公共軸交錯(cuò)排列。