[發明專利]一種襯底基座及其制造方法和一種處理襯底的方法

有效

• 申請號: 202010719108.1
• 申請日: 2016-05-12
• 公開（公告）號: CN112063995B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 特洛伊·艾倫·戈姆;尼克·拉伊·小林百格
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/509;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種處理襯底的方法，所述方法包括：

將襯底放置在襯底基座上，所述襯底基座包括：臺板，其由陶瓷材料形成，所述臺板具有構造成在處理期間支承所述襯底的上表面；所述襯底基座的桿，其由陶瓷材料形成并具有上部桿凸緣以支撐所述臺板；背部氣體管路，其由陶瓷材料形成，位于所述桿的內部，所述背部氣體管路包括位于所述臺板的下表面與所述上部桿凸緣的上表面之間的上部氣體管路凸緣，所述背部氣體管路與所述臺板的至少一個背部氣體通道流體連通，所述背部氣體管路被配置為供給背部氣體至在處理期間要支撐在所述臺板的上表面上的所述襯底的下表面下方的區域；和

將選自包括背部熱傳輸氣體和吹掃氣體的氣體中的至少一種氣體供給通過所述背部氣體管路至在處理期間支承在所述臺板的所述上表面上的所述襯底的下表面下方的區域，所述背部氣體管路包括在所述上部氣體管路凸緣中的至少一個開口，使得至少一個相應的電氣連接件能延伸通過所述上部氣體管路凸緣。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述襯底基座位于真空室內，其中噴頭位于所述真空室內且在所述襯底基座上方，所述方法還包括：

通過所述噴頭將處理氣體供給至所述真空室，所述處理氣體由與所述真空室流體連通的處理氣體源供給；和

將來自所述噴頭的所述處理氣體供應到位于所述噴頭和位于所述襯底基座上的所述襯底之間的處理區域中。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述處理包括選自以下沉積處理的至少一種類型的沉積處理，包括：化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、等離子體增強原子層沉積、脈沖沉積層、和等離子體增強的脈沖沉積層。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括將所述襯底放置在形成于所述臺板的所述上表面上的臺面圖案上，所述臺面圖案在所述臺面圖案的臺面與被支撐在所述臺面圖案上的所述襯底的下表面之間提供氣體通道。

5.一種用于制造襯底基座的方法，所述襯底基座包括用于襯底處理裝置的陶瓷臺板和陶瓷桿，所述方法包括：

將背部氣體管路的上部氣體管路凸緣的上陶瓷表面布置成抵靠所述陶瓷臺板的下陶瓷表面，所述背部氣體管路基本形成在所述陶瓷桿內并且包括在所述上部氣體管路凸緣中的至少一個開口，使得至少一個相應的電氣連接件能延伸通過所述上部氣體管路凸緣；和

將所述上部氣體管路凸緣的所述上陶瓷表面擴散結合至所述陶瓷臺板的所述下陶瓷表面，以形成第一真空密封。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

將所述陶瓷桿的上部桿凸緣的上陶瓷表面布置成抵靠所述背部氣體管路的上部凸緣的下陶瓷表面；和

將所述上部桿凸緣的所述上陶瓷表面擴散接合到所述上部氣體管路凸緣的所述下陶瓷表面，以形成第二真空密封。

7.根據權利要求6所述的方法，其中在將所述上部氣體管路凸緣的所述上陶瓷表面擴散接合到所述陶瓷臺板的所述下陶瓷表面之后，將所述上部桿凸緣的所述上陶瓷表面擴散接合到所述上部氣體管路凸緣的所述下陶瓷表面。

8.根據權利要求6所述的方法，其中在將所述上部氣體管路凸緣的所述上陶瓷表面擴散接合到所述陶瓷臺板的所述下陶瓷表面時，將所述上部桿凸緣的所述上陶瓷表面擴散接合到所述上部氣體管路凸緣的所述下陶瓷表面。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述上部氣體管路凸緣的上表面與所述陶瓷臺板的下表面之間的接觸面積大致等于所述上部氣體管路凸緣的下表面與所述上部桿凸緣的所述上表面之間的接觸面積。

10.根據權利要求5所述的方法，其中在所述上部氣體管路凸緣的上表面與所述陶瓷臺板的下表面之間沒有間隙。

11.根據權利要求5所述的方法，其中在所述上部氣體管路凸緣的一部分與所述陶瓷臺板的下表面之間形成間隙。