[發明專利]一種對半導體硅材料晶體長晶放肩形狀的控制方法在審
| 申請號： | 202010717177.9 | 申請日： | 2020-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN112064109A | 公開（公告）日： | 2020-12-11 |
| 發明（設計）人： | 吳春生;鄭鍇;穆童;王程平 | 申請（專利權）人： | 南京晶能半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/22 | 分類號： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 張弛 |
| 地址： | 210046 江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 對半 導體 材料 晶體 長晶放肩 形狀 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對半導體硅材料晶體長晶放肩形狀的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)、通過斜率值公式SLOP＝Δ直徑/Δ長度，取一定時間內的SLOP平均值代表實時斜率值；在單晶爐爐內設置溫度傳感器探測點用以測量爐內實時溫度；預設理論斜率值及預設理論拉速值；
(2)、根據實時斜率值與理論斜率值對比，經過斜率值的PID反饋值來控制籽晶拉速而將實時斜率值向理論斜率值靠攏；根據籽晶拉速與理論拉速值對比，經過溫度控制的PID反饋值來控制加熱器溫度，通過加熱器溫度調整而將籽晶拉速值逐漸向理論拉速值靠攏。
2.根據權利要求1所述的控制方法，其特征在于：采用PLC中的PID控制器給出關于對拉速和給定溫度的修正值。
3.根據權利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：步驟(1)中，Δ直徑為直徑變化，Δ直徑通過CCD相機測量獲得；Δ長度為長度變化，Δ長度通過位置編碼器獲得。
4.根據權利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：步驟(2)中，若實際斜率值比理論值大，則籽晶拉速增加，實際斜率值比理論值小，則籽晶拉速會降低。
5.根據權利要求4所述的控制方法，其特征在于：步驟(2)中，給定電信號反饋給伺服電機，通過電機旋轉控制籽晶拉速。
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