[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010715585.0
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN113972257A
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張維哲;任楷;王喻柏
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/11568;H01L27/11573;H01L21/762
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;孫乳筍

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基底；以及

一隔離部件，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基底中，其中所述隔離部件包括：

一襯層，沿著所述隔離部件與所述半導(dǎo)體基底之間的邊界設(shè)置；

一第一氧化物填充層，設(shè)置于所述襯層之上；

一介電阻擋結(jié)構(gòu)，以封閉環(huán)形方式圍繞所述第一氧化物填充層；以及

一第二氧化物填充層，設(shè)置于所述介電阻擋結(jié)構(gòu)之上且鄰近所述襯層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電阻擋結(jié)構(gòu)包括：

一第一區(qū)段，沿著所述第一氧化物填充層的上表面；以及

一第二區(qū)段，沿著所述第一氧化物填充層的側(cè)壁，且所述介電阻擋結(jié)構(gòu)的所述第二區(qū)段的厚度大于所述介電阻擋結(jié)構(gòu)的所述第一區(qū)段的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電阻擋結(jié)構(gòu)的所述第二區(qū)段包括：

一氮氧化硅層；以及

一氮化硅層，介于所述襯層與所述氮氧化硅層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電阻擋結(jié)構(gòu)的所述第一區(qū)段包括介于所述第一氧化物填充層與所述第二氧化物填充層之間的一氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括：

一第二隔離部件，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基底中，其中所述第二隔離部件包括一第一氮化物填充層；以及

一第三隔離部件，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基底中，其中所述第三隔離部件包括一第二氮化物填充層，其中所述第二氮化物填充層的厚度大于所述第一氮化物填充層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二隔離部件更包括一第三氧化物填充層，設(shè)置于所述第一氮化物填充層之上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯層由氧化硅形成。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基底；以及

一隔離部件，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基底中，其中所述隔離部件包括：

一氮化物填充層；

一第一氧化物填充層，設(shè)置于所述氮化物填充層之上；

一介電阻擋結(jié)構(gòu)，以封閉環(huán)形方式圍繞所述第一氧化物填充層；以及

一第二氧化物填充層，設(shè)置于所述介電阻擋結(jié)構(gòu)之上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括：一內(nèi)襯結(jié)構(gòu)，包括：

一第一部分，設(shè)置所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)表面與所述氮化物填充層的側(cè)壁之間；

一第二部分，設(shè)置于所述半導(dǎo)體基底的所述側(cè)表面與所述介電阻擋結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間；以及

一第三部分，設(shè)置于所述氮化物填充層的上表面與所述介電阻擋結(jié)構(gòu)的下表面之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)襯結(jié)構(gòu)的所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

形成一第一溝槽于一半導(dǎo)體基底中；

形成一第一氮化物層沿著所述第一溝槽的側(cè)壁和底面；

形成一第一氧化物層于所述第一氮化物層之上以填充所述第一溝槽；

自所述第一溝槽凹蝕所述第一氧化物層以形成一第一凹陷；

刻蝕所述第一氮化物層自所述第一凹陷暴露出來的部分；

形成一第二氮化物層沿著所述第一凹陷的側(cè)壁和底面，其中所述第二氮化物層具有沿著所述第一凹陷的底面的一第一部分、以及沿著所述第一凹陷的側(cè)壁的一第二部分；

移除所述第二氮化物層的所述第二部分；以及

形成一第二氧化物層于所述第二氮化物層的所述第一部分之上以填充所述第一凹陷。