[發明專利]半導體裝置和使用物體識別的設備

在審

• 申請號: 202010715480.5
• 申請日: 2020-07-23
• 公開（公告）號: CN112310132A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 手塚智之
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/361
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

1.一種半導體裝置，包括：

半導體層，其中設置了多個像素，所述多個像素各自包括光電轉換器；以及

互連結構，其被布置在所述半導體層上，

其中，所述多個像素包括第一光接收像素和第二光接收像素，

其中，所述互連結構包括：

第一絕緣膜，其由第一絕緣材料制成，

第一絕緣構件，其被布置成與所述第一光接收像素相關聯并且由與所述第一絕緣材料相比具有更大氫含量的第二絕緣材料制成，以及

第二絕緣構件，其被布置成與所述第二光接收像素相關聯并且由所述第二絕緣材料制成，以及

其中，所述第一絕緣構件的體積大于所述第二絕緣構件的體積。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，在垂直地投影在與所述半導體層的主面平行的投影面上的情況下，所述投影面上的所述第一絕緣構件的面積大于所述投影面上的所述第二絕緣構件的面積。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，在垂直地投影在與所述半導體層的主面平行的投影面上的情況下，所述第一光接收像素的光電轉換器和所述第一絕緣構件在所述投影面上至少部分地彼此重疊，以及所述第二光接收像素的光電轉換器和所述第二絕緣構件在所述投影面上至少部分地彼此重疊。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述第一絕緣構件和所述第二絕緣構件被設置成與所述半導體層相隔10nm或更大。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，

其中，所述多個像素包括遮光像素，以及

其中，所述互連結構在與布置有所述遮光像素的遮光像素區域相對應的部分的所述第一絕緣膜中不包括由所述第二絕緣材料制成的絕緣構件。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，

其中，所述半導體層還包括布置有用于驅動所述多個像素的電路的外圍電路區域，以及

其中，所述互連結構在與所述外圍電路區域相對應的部分的所述第一絕緣膜中不包括由所述第二絕緣材料制成的絕緣構件。

7.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述第二絕緣材料是氮化硅。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，

其中，所述第一光接收像素和所述第二光接收像素被布置在布置有所述多個像素的光接收像素區域的外緣部中，以及

其中，所述第一光接收像素與所述第二光接收像素相比位于所述光接收像素區域的更外部中。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述外緣部是從所述光接收像素區域的外周起寬度為300μm或更小的區域。

10.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述第一絕緣材料包含氫。

11.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，所述第一絕緣材料是氧化硅或碳氧化硅。

12.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，還包括光學結構，所述光學結構被布置在所述半導體層的與所述互連結構相對的一側。

13.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，還包括光學結構，所述光學結構被布置在所述互連結構的與所述半導體層相對的一側。

14.一種使用物體識別的設備，包括：

根據權利要求1至13中任一項所述的半導體裝置；以及

信號處理單元，用于處理從所述半導體裝置輸出的信號。