[發明專利]顯示基板及其測試方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010714082.1 | 申請日: | 2020-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN111816685B | 公開(公告)日: | 2022-12-13 |
| 發明(設計)人: | 麻清琳;趙言;孫祿標;見帥敏;董蕊;付煥章 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;綿陽京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G01B11/03 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 測試 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板具有顯示區和設置在顯示區周邊的周邊區;
所述顯示基板包括:
襯底;
設置于所述襯底上的第一圖案層,所述第一圖案層可反光,所述第一圖案層包括位于所述顯示區的第一圖案和位于所述周邊區的第一保留圖案,所述第一保留圖案上具有鏤空部;
設置于所述襯底上且位于所述第一圖案層遠離所述襯底一側的至少一個第二圖案層,每個第二圖案層包括位于所述顯示區的第二圖案和位于所述周邊區的第二保留圖案,第一保留圖案在所述襯底上的正投影覆蓋所述第二保留圖案在所述襯底上的正投影,所述第二保留圖案在所述襯底上的正投影與所述鏤空部在所述襯底上的正投影不重疊。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一保留圖案包括:間隔設置的第一子圖案和第二子圖案,所述第一子圖案上具有所述鏤空部,所述第二子圖案在所述襯底上的正投影覆蓋所述第二保留圖案在所述襯底上的正投影;
或者,
所述第一保留圖案在所述襯底上的投影具有一條封閉的外輪廓線,所述鏤空部和所述第一保留圖案在所述襯底上的正投影均在所述的外輪廓線以內。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括:多個所述第二圖案層,不同第二圖案層中的第二保留圖案在所述襯底上的正投影的不重疊。
4.根據權利要求1~3任一項所述的顯示基板,其特征在于,顯示區包括多個子像素區;
所述第一圖案層包括第一電極層,一個第一圖案為位于一個子像素區中的第一電極;
所述第二圖案層包括發光層,一個第二圖案為位于一個子像素區中的發光圖案。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,
多個子像素區包括:第一顏色子像素區、第二顏色子像素區和第三顏色子像素區;
所述顯示基板包括多個所述發光層,多個所述發光層包括:第一發光層、第二發光層和第三發光層;
所述第一發光層包括位于所述第一顏色子像素區的第一發光圖案和位于周邊區的第一發光保留圖案;所述第二發光層包括位于所述第二顏色子像素區的第二發光圖案和位于周邊區的第二發光保留圖案;所述第三發光層包括:位于所述第三顏色子像素區的第三發光圖案和位于周邊區的第三發光保留圖案;第一發光保留圖案和第二發光保留圖案和第三發光保留圖案均為所述第二保留圖案。
6.根據權利要求5所述的顯示基板,其特征在于,
多個所述發光層還包括:第四發光圖案層和第五發光圖案層;
所述第四發光圖案層包括位于所述第一顏色子像素區的第四發光圖案和位于周邊區的第四發光保留圖案;所述第五發光圖案層包括位于所述第二顏色子像素區的第五發光圖案和第五發光保留圖案。
7.根據權利要求5或6所述的顯示基板,其特征在于,
在多個所述發光層包括第一發光層、第二發光層和第三發光層的情況下,所述第一發光保留圖案、所述第二發光保留圖案和所述第三發光保留圖案并排設置;
在多個所述發光層還包括第四發光圖案層和第五發光圖案層的情況下,所述第一發光保留圖案、所述第二發光保留圖案、所述第三發光保留圖案、所述第四發光保留圖案和所述第五發光保留圖案并排設置。
8.根據權利要求1-3、5和6任一項所述的顯示基板,其特征在于所述鏤空部包括沿第一方向設置的至少一對第一鏤空部和沿第二方向設置的至少一對第二鏤空部;
一對所述第一鏤空部和一對所述第二鏤空部在所述第二保留圖案上具有交點,所述交點在所述第一保留圖案在所述第二保留圖案上的投影內;
其中,所述第一方向與所述第二方向交叉設置。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-8任一項所述的顯示基板。
10.一種顯示基板的測試方法,其特征在于,所述顯示基板包括:如權利要求8所述的顯示基板;
所述顯示基板的測試方法包括:
獲取一對所述第一鏤空部和一對所述第二鏤空部的交點的第一中心坐標(x1,y1);
獲取所述第二保留圖案的第二中心坐標(x2,y2);
利用下式計算所述第一保留圖案和所述第二保留圖案之間的偏移量:
(Δx,Δy)=(|x1-x2|,|y1-y2|)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





