[發(fā)明專利]PERC電池的背拋光方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010713517.0
• 申請日: 2020-07-22
• 公開（公告）號: CN112133786B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設計）人: 趙贊良;王肖肖;付洪濤;安艷龍;劉世科;楊明明;房海冬;仲志海
• 申請（專利權）人: 寧夏隆基樂葉科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/306;H01L31/0236;C09K13/04
• 代理公司: 北京挺立專利事務所(普通合伙) 11265
• 代理人: 張智銳

1.一種PERC電池的背拋光方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

S1、硅片拋光前的預處理；

S2、硅片背面拋光處理；其包括：

將硅片置于HF/H₂SO₄/HNO₃/H₂O的混合溶液中進行背面拋光，以形成類正方或長方形結構的制絨面；其中，

HF、H₂SO₄、HNO₃與H₂O的體積比為1：0.3-1.5：2.6-3.0：1-1.8，拋光溫度為1-12℃，拋光時間為20-70s；

HF的質量分數為45％-49％，HNO₃的質量分數為65％-69％，H₂SO₄的質量分數為95％-98％；

S3、硅片的后處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，

每拋光30-200個硅片后，向HF/H₂SO₄/HNO₃/H₂O的混合溶液中補加HF和HNO₃；其中，

補加的HF與HNO₃的體積比為1：0.8-1.7；

HF的質量分數為45％-49％，HNO₃的質量分數為65％-69％。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，

每拋光30-1000個硅片后，向HF/H₂SO₄/HNO₃/H₂O的混合溶液中補加HF、H₂SO₄和HNO₃；其中，

補加的HF、H₂SO₄與HNO₃的體積比為1：0.12-1：0.8-1.7；

HF的質量分數為45％-49％，HNO₃的質量分數為65％-69％，H₂SO₄的質量分數為95％-98％。

4.根據權利要求2或3所述的方法，補加后混合溶液的濃度為初始濃度。

5.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述類正方或長方形結構的尺寸為1.2-7um。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述類正方或長方形結構的尺寸為1.5-2.5um。

7.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，

拋光溫度為7-12℃，拋光時間為25-50s。

8.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，在步驟S1中，所述硅片拋光前的預處理包括：

S11、去除硅片表面的有機物和硅片切割過程的損傷層；

S12、對硅片的表面進行磷擴散，以在硅片表面形成PN結；在擴散的過程中，硅片的表面會覆蓋磷硅玻璃層；

S13、采用激光按照金屬化圖形局部照射硅片表面的磷硅玻璃層，以在硅片表面形成局部重擴散區(qū)域。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在步驟S12中，

磷擴散的擴散源為三氯氧磷液態(tài)源。