[發(fā)明專利]化合物、高聚物、混合物、組合物及有機(jī)電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010711708.3
• 申請日: 2020-07-22
• 公開（公告）號: CN111848590B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何銳鋒;黃宏;吳燦潔;宋晶堯
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州華睿光電材料有限公司
• 主分類號: C07D405/10
• 分類號: C07D405/10;C07D471/04;C07D251/24;C07D495/04;C07D327/08;C07D401/10;C07D239/74;C07D405/04;C07D491/048;C07D401/14;C07D487/04;C07D209/86;C07C211/54
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 向薇

本發(fā)明公開化合物、高聚物、混合物、組合物及有機(jī)電子器件。所述的化合物如通式(1)所示，通過三亞苯類稠環(huán)和含氮雜環(huán)單元分別連接在含鄰位基團(tuán)取代的芳香環(huán)上，可有助于化合物的分子分散，降低激子的淬滅，從而有利于提高化合物的器件性能和穩(wěn)定性，為提高有機(jī)電子器件特別是OLED的性能和壽命提供一種行之有效的方案。

本申請要求于2019年07月24日提交中國專利局、申請?zhí)枮?01910670969.2、發(fā)明名稱為“一類化合物、混合物、組合物及其應(yīng)用”的中國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及機(jī)光電性能材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及化合物、高聚物、混合物、組合物及有機(jī)電子器件。

背景技術(shù)

有機(jī)半導(dǎo)體材料具有結(jié)構(gòu)多樣性、制造成本相對較低、光電性能優(yōu)越等特性，在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)等光電器件(例如平板顯示器和照明)方面的應(yīng)用具有巨大的潛力。

為了提高有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光性能，推進(jìn)有機(jī)發(fā)光二極管大范圍產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，各類有機(jī)光電性能材料體系已被廣泛地開發(fā)。但OLED的性能，特別是壽命仍有待進(jìn)一步提高。

影響OLED器件性能的其中兩個重要的因素是材料穩(wěn)定性和激子動力學(xué)。材料穩(wěn)定性包含熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性、電學(xué)穩(wěn)定性和空氣穩(wěn)定性等，OLED器件穩(wěn)定性首先依賴于材料穩(wěn)定性的，材料結(jié)構(gòu)中有比較大的剛性骨架基團(tuán)，有利于提高材料的熱穩(wěn)定性；有適中的HOMO和LUMO能級，有利于提高材料的化學(xué)穩(wěn)定性、電學(xué)穩(wěn)定性和空氣穩(wěn)定性。而分子的密堆積，容易導(dǎo)致激子的淬滅，在分子結(jié)構(gòu)中適當(dāng)引入空間位阻結(jié)構(gòu)單元，可有效防止分子間的密堆積，起到激子分散的作用，降低激子的淬滅幾率，從而提高 OLED的性能，特別是效率，降低高亮度下的效率滾降。

結(jié)合影響穩(wěn)定性的各要素，在現(xiàn)有技術(shù)中，電子傳輸型(N-型)化合物的結(jié)構(gòu)中多含芳香類稠環(huán)，且 HOMO能級一般較深，如專利US2018277767、WO2016051977等所述，利用芳香稠環(huán)與缺電子基團(tuán)結(jié)合構(gòu)造化合物，能夠獲得不錯的器件性能。但這類材料容易出現(xiàn)激子的淬滅，影響器件穩(wěn)定性和壽命的提升。因此新的材料體系還需進(jìn)一步開發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一類結(jié)構(gòu)新穎的化合物，旨在解決現(xiàn)有的有機(jī)電子元件性能及器件穩(wěn)定性和壽命偏低的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種化合物，如通式(1)所示：

其中，V每次出現(xiàn)時，分別獨(dú)立選自：N原子或CR¹；

L¹、L²每次出現(xiàn)時，分別獨(dú)立選自：取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～60的芳香基團(tuán)或雜芳香基團(tuán)；

Ar¹選自：取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～30的芳香基團(tuán)或雜芳香基團(tuán)，且Ar¹與A在L²上鄰位連接；

A選自缺電子基團(tuán)；

R¹每次出現(xiàn)時，分別獨(dú)立選自：氫、氘、氟、氰基、烯基、炔基、腈基、胺基、硝基、酰基、烷氧基、羰基、砜基、取代或未取代的碳原子數(shù)1～30的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)3～30的環(huán)烷基、取代或未取代的環(huán)原子數(shù)為5～60的芳香基團(tuán)或雜芳香基團(tuán)；兩個或多個相鄰的R¹任選地彼此形成或不形成脂族環(huán)系、芳族環(huán)系或雜芳族環(huán)系；

n選自0～6的任一整數(shù)。

一種高聚物，所述高聚物包含至少一個重復(fù)單元，所述重復(fù)單元包含有通式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元。