[發(fā)明專利]一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010711466.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN112082992A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅偉力;李勇;劉留;蘇小平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 威科賽樂微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N21/84
• 分類號(hào): G01N21/84;G01N1/34
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 張晨

1.一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，在位錯(cuò)腐蝕前先采用手工拋光液對(duì)磷化銦晶片進(jìn)行手工拋光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，所述手工拋光液由甲醇和液溴組成，甲醇和液溴的體積比為3-6:0.5-1，甲醇及液溴的質(zhì)量分?jǐn)?shù)均為99.5％或者99.5％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，包括如下步驟：

用研磨液將磷化銦晶片表面的鋸紋磨掉；

采用手工拋光液對(duì)磷化銦晶片進(jìn)行手工拋光；

采用手工拋光液拋光過后的磷化銦晶片放入一號(hào)腐蝕液中腐蝕后沖洗干凈，再放入二號(hào)腐蝕液中腐蝕，腐蝕完成后取出沖洗干凈，干燥，利用光學(xué)顯微鏡測(cè)定EPD密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，所述一號(hào)腐蝕液中包含硫酸，所述硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為98％。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，所述二號(hào)腐蝕液中包含氫溴酸，所述氫溴酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為48％。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，所述一號(hào)腐蝕液由純水、硫酸和雙氧水組成，純水、硫酸和雙氧水的體積比為0.8-1.2:3-6:10-15，所述雙氧水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30％－32％。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，所述二號(hào)腐蝕液由磷酸和氫溴酸組成，磷酸和氫溴酸的體積比為1-3:0.7-1.5，磷酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為85％。

8.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，所述一號(hào)腐蝕液的腐蝕時(shí)間為1-3分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的一種磷化銦晶片的位錯(cuò)測(cè)定方法，其特征在于，所述二號(hào)腐蝕液的腐蝕時(shí)間為7-8分鐘。