[發(fā)明專利]用于處理基板的設(shè)備和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010710682.0
• 申請(qǐng)日: 2020-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112289672A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金成燁;李石魯;魏永勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 鐘錦舜;王麗

1.一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括：

腔室，所述腔室具有供在其中處理基板的處理空間；

基板支撐單元，所述基板支撐單元被配置為在所述處理空間中支撐所述基板；

氣體供應(yīng)單元，所述氣體供應(yīng)單元被配置為向所述處理空間內(nèi)供應(yīng)氣體；

排氣管線，所述排氣管線連接到所述腔室；和

減壓構(gòu)件，所述減壓構(gòu)件被配置為降低所述排氣管線中的壓力并釋放在所述處理空間中產(chǎn)生的工藝副產(chǎn)物，

其中所述排氣管線包括：

第一管線，所述第一管線連接到所述腔室；

第二管線，所述第二管線配備有所述減壓構(gòu)件；和

過(guò)濾管，所述過(guò)濾管被配置為連接所述第一管線和所述第二管線，并且

其中，所述過(guò)濾管具有波紋狀側(cè)表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述過(guò)濾管能夠從所述第一管線和所述第二管線拆卸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述過(guò)濾管的外周表面具有波紋形狀，并且

其中所述過(guò)濾管具有比所述第一管線和所述第二管線更低的溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，所述過(guò)濾管外部的溫度低于所述過(guò)濾管內(nèi)部的溫度，并且

其中，所述過(guò)濾管由比所述第一管線和所述第二管線具有更高的熱導(dǎo)率的材料形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述第二管線配備有閥，所述閥被配置為打開(kāi)或關(guān)閉所述排氣管線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述過(guò)濾管具有波紋狀外周表面，并且

其中，所述過(guò)濾管包括：

主體，所述主體具有對(duì)置的開(kāi)口端；和

內(nèi)部突起，所述內(nèi)部突起從所述主體的內(nèi)表面突出。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，所述內(nèi)部突起具有被構(gòu)造成圍繞所述主體的中心軸線的螺旋形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，所述內(nèi)部突起包括多個(gè)內(nèi)部突起，所述多個(gè)內(nèi)部突起具有環(huán)孔形狀并且沿所述主體的長(zhǎng)度方向布置。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，在通過(guò)沿長(zhǎng)度方向切割所述過(guò)濾管而獲得的切割截面中，所述內(nèi)部突起被設(shè)置成傾斜，使得從所述主體的所述內(nèi)表面朝向所述內(nèi)部突起的內(nèi)端的方向沿所述過(guò)濾管的上游方向靠近所述主體的中心軸線定向。

10.一種使用根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備處理基板的方法，所述方法包括：

通過(guò)將氣體供應(yīng)到位于所述處理空間中的所述基板來(lái)處理所述基板；和

從所述處理空間中卸載所述基板后對(duì)所述設(shè)備進(jìn)行維護(hù)，

其中，在進(jìn)行所述維護(hù)期間，將所述過(guò)濾管與所述第一管線和所述第二管線分離并進(jìn)行更換。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在進(jìn)行所述維護(hù)期間，清潔泵連接至所述第一管線，以在分離所述過(guò)濾管之后并且在更換所述過(guò)濾管之前釋放所述處理空間中的殘留顆粒。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述過(guò)濾管具有比所述第一管線和所述第二管線更大的暴露面積，使得所述過(guò)濾管具有比所述第一管線和所述第二管線更低的溫度，其中，所述暴露面積為所述過(guò)濾管暴露在外部的面積。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述氣體是用于蝕刻所述基板的氣體。