[發明專利]一種微波屏蔽管及磁場增強平板PECVD設備有效
| 申請號: | 202010710368.2 | 申請日: | 2020-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN111690913B | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發明(設計)人: | 周繼承;徐偉 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | C23C16/511 | 分類號: | C23C16/511 |
| 代理公司: | 北京東方盛凡知識產權代理有限公司 11562 | 代理人: | 謝秀娟 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微波 屏蔽 磁場 增強 平板 pecvd 設備 | ||
1.一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:包括殼體(9)、沿送料方向設置在所述殼體(9)內部的至少兩個等離子體發生裝置,所述等離子體發生裝置下方設置有基片臺(7),所述等離子體發生裝置內部設置有同軸圓波導,所述等離子體發生裝置頂部設置有上進氣管(2),所述等離子體發生裝置底部兩側設置有下進氣管(6);所述殼體(9)底部連通有真空機組(10);
所述同軸圓波導包括同軸設置的石英玻璃管(3)、銅天線(4)、微波屏蔽管(5),所述石英玻璃管(3)在所述銅天線(4)外側,所述微波屏蔽管(5)設置在所述石英玻璃管(3)、銅天線(4)之間,所述微波屏蔽管(5)側壁上下兩端設有開口(501);所述開口(501)為棱形,所述開口(501)棱形的小端設置在所述微波屏蔽管(5)兩端,所述開口(501)棱形的中部大端設置在所述微波屏蔽管(5)的中間。
2.根據權利要求1所述的一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:所述等離子體發生裝置包括屏蔽罩(11)和設置在所述屏蔽罩(11)上表面的條形磁鐵(1),所述屏蔽罩(11)的外側壁上設置有所述條形磁鐵(1),所述上進氣管(2)設置在所述屏蔽罩(11)頂部,所述下進氣管(6)設置在所述屏蔽罩(11)底部兩側;所述屏蔽罩(11)的橫截面為等腰梯形。
3.根據權利要求2所述的一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:所述殼體(9)、屏蔽罩(11)為無磁或弱磁的不銹鋼材料,所述不銹鋼材料為不銹鋼304、321、316、310中的任意一種。
4.根據權利要求2所述的一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:所述條形磁鐵(1)為合金永磁材料或者鐵氧體永磁材料。
5.根據權利要求1所述的一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:所述銅天線(4)、微波屏蔽管(5)材料為紫銅,所述銅天線(4)為實心圓柱,半徑范圍為3~5mm,所述銅天線(4)長度大于所述殼體(9)寬度,所述銅天線(4)兩端連接有微波源。
6.根據權利要求1所述的一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:所述微波屏蔽管(5)內徑范圍為7~12mm,所述微波屏蔽管(5)外徑范圍為9~14mm,所述開口(501)為棱形,所述開口(501)棱形的小端設置在所述微波屏蔽管(5)兩端,所述開口(501)棱形的中部大端設置在所述微波屏蔽管(5)的中間。
7.根據權利要求1所述的一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:所述石英玻璃管(3)介電常數在3.5~4.7之間,所述石英玻璃管(3)內徑范圍為10~15mm,所述石英玻璃管(3)外徑范圍為12~17mm,所述石英玻璃管(3)與大氣連通。
8.根據權利要求1所述的一種微波屏蔽管及磁場增強平板式PECVD設備,其特征在于:所述基片臺(7)下方設置有加熱板(8)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





