[發明專利]層疊式半導體器件及其測試方法

在審

• 申請號: 202010709042.8
• 申請日: 2020-07-22
• 公開（公告）號: CN113097180A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 吳相默;金支煥;李東郁;李康說;張憲龍
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;H01L25/18
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

1.一種半導體器件，包括：

強制線，其在穿通電極上方沿第一方向延伸，并被電耦接至所述穿通電極；

第一監測線，其被形成為在第二方向上與所述強制線分隔開第一間隔，并且在所述第一方向上延伸；

第二監測線，其被形成為在與所述第二方向相反的方向上與所述強制線分隔開第二間隔，并且在所述第一方向上延伸；以及

選擇電路，其適用于通過根據監測信號而選擇所述第一監測線和所述第二監測線的多個電壓電平中的任意一個來輸出檢測信號。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述強制線以及所述第一監測線和所述第二監測線被形成在相同的金屬層中。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述強制線在所述第一方向上延伸以與所述穿通電極的目標中心交叉。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述強制線在所述第一監測線和所述第二監測線之間與所述穿通電極的目標中心在所述第二方向或與所述第二方向相反的方向上分隔開一定的間隔。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一間隔和所述第二間隔中的每個約為所述穿通電極的目標直徑的一半。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一間隔與所述第二間隔彼此不同。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第三監測線，其被形成為在與所述第一方向相反的方向上與所述穿通電極的目標中心分隔開第三間隔，并且在所述第二方向上延伸；以及

第四監測線，其被形成為在所述第一方向上與所述目標中心分隔開第四間隔，并且在所述第二方向上延伸，

其中，所述第三監測線和所述第四監測線與所述強制線分隔開。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述強制線以及所述第三監測線和所述第四監測線被形成在相同的金屬層中。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第三間隔和所述第四間隔中的每個約為所述穿通電極的目標直徑的一半。

10.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述第三間隔與所述第四間隔彼此不同。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：監測電路，其適用于基于所述檢測信號來判斷所述穿通電極是否被形成為具有目標直徑。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一測試焊盤，其適用于向外部設備輸出所述檢測信號；以及

第二測試焊盤，其適用于接收從所述外部設備提供的源電壓電平的信號，并向所述強制線施加所述信號。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一監測線和所述第二監測線的電壓電平中的每個是根據對應的監測線與所述穿通電極之間的重疊程度來確定的。

14.一種半導體器件，包括：

強制線，其被形成為在穿通電極上方沿第一方向延伸，并且被電耦接至所述穿通電極；

第一監測線至第三監測線，其在第二方向上分隔開并從所述強制線起以第一間隔至第三間隔形成，并且在所述第一方向上延伸；以及

選擇電路，其適用于通過根據監測信號而選擇所述第一監測線至第三監測線的電壓電平中的任意一個來輸出檢測信號。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，所述強制線以及所述第一監測線至第三監測線被形成在相同的金屬層中。

16.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，所述強制線在所述第一方向上延伸以與所述穿通電極的目標中心交叉。