[發明專利]一種銅基金剛石散熱片及其制備方法有效
| 申請號: | 202010705770.1 | 申請日: | 2020-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN111805988B | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發明(設計)人: | 蔣孟瑤;蔣向上 | 申請(專利權)人: | 蔣孟瑤 |
| 主分類號: | B32B9/00 | 分類號: | B32B9/00;B32B9/04;B32B15/04;B32B15/20;B32B33/00;B32B37/06;B32B37/10;C22C9/00;B22F3/14;B22F3/24;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 鐘丹;魏娟 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基金 剛石 散熱片 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種銅基金剛石散熱片及其制備方法,所述銅基金剛石散熱片依次包括銅箔底層、金剛石顆粒層、銅箔頂層;所述銅箔底層與銅箔頂層均由銅、銀組成,按質量比計,銅:銀=7?8:2?3。本發明所提供的銅基金剛石散熱片不但在形狀薄、尺寸小的外形上滿足半導體元件的散熱要求,還具備了高導熱率、低膨脹系數,抗壓強度和抗拉強度高的特點,是5G時代電子元件的最理想的散熱材料。
技術領域
本發明屬于金剛石復合材料制造領域,具體涉及一種銅基金剛石散熱片的及其制備方法。
背景技術
電子技術通信進入5G時代,集成電路向著大規模、高集成、大功率方向深入發展。電子元器件發熱量迅速增加,微處理器等半導體元件常常因工作溫度過高而影響工作,有關研究數據表明,當半導體元件表面溫度≥70℃時,每升高1℃,半導體元件的可靠性下降5%,誘發各種工作故障。傳統的金屬導熱材料無法滿足現代半導體元件的散熱需求,新一代的高導熱率材料也就應運而生,例如金屬復合材料、碳纖維材料、硅晶材料、人造金剛石、石墨烯等新一代散熱材料被應用到半導體元件的導熱裝置。新一代的導熱材料,始終存在著一個高導熱率與材料的抗壓強度、抗拉強度之間矛盾,也就是材料的導熱率提高了,抗壓強度、抗拉強度就降低了,反之抗壓強度、抗拉強度能夠滿足工作條件的要求,而導熱率又達不到工作條件的最佳狀態。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種高強度、高導熱、低成本的銅基金剛石散熱片及其制備方法。
為了實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
本發明一種銅基金剛石散熱片,所述銅基金剛石散熱片依次包括銅箔底層、金剛石顆粒層、銅箔頂層;所述銅箔底層與銅箔頂層的成份均由銅、銀組成,按質量比計,銅:銀=7-8:2-3。
優選的方案,所述銅箔底層、銅箔頂層的厚度均為0.07~0.1㎜。
優選的方案,所述銅基金剛石散熱片中,金剛石顆粒層的質量分數為60%~94%。
優選的方案,所述金剛石顆粒的晶型為單晶,形狀為六面體,所述金剛石顆粒的粒徑為10~60目。
在本發明中,同一片銅基金剛石散熱片中采用相同尺寸的金剛石顆粒。
優選的方案,所述金剛石顆粒含有銅鍍層,所述銅鍍層的厚度≤0.01毫米,優選為0.005~0.009毫米。
本發明一種銅基金剛石散熱片的制備方法,包括如下步驟:
步驟1
按一層軟質材料,一條銅箔、一層金剛石顆粒、再一條銅箔、一層軟質材料的層疊方式,將待成型的一片或2片銅基金剛石散熱片組裝于石墨模具中,常溫下雙向壓制獲得冷壓坯;
步驟2
然后將冷壓坯進行凈化熱處理,凈化熱處理后所得坯體進行真空恒溫保存,所述凈化熱處理的溫度≤600℃,
步驟3
將步驟2所得坯體置于熱壓機上,上下同時加壓、加溫壓制,即銅基金剛石散熱。
優選的方案,步驟1中,所述銅箔的制備方法為:按設計比例配取純銅粉、純銀粉,混合,獲得混合粉,將混合粉于680℃~750℃的溫度下熱壓成型,然后再延伸成0.07~0.1㎜厚度的銅箔。
在本發明的,銅箔的制備過程中,銅粉與銀粉幾乎沒有質量損失,即按銅:銀=7-8:2-3的設計比例配取銅粉、銀粉即可。
在本發明中控制銅箔的厚度為0.07~0.1㎜的厚度,可以確保金剛石在銅基金剛石散熱片中的占比,同時保證銅基金剛石散熱片的熱導率,同時也可以保證在壓制過程中不會被刺穿,在冷壓成坯時不會發生位移,導致散熱片熱導率不穩定。
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