[發明專利]耐磨與抗菌兼具的Cr-Mo-Ag-Si-C-N多元復合薄膜的制備方法有效
| 申請號: | 202010705368.3 | 申請日: | 2020-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN111876735B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 周飛;張懋達;王謙之 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/50 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹蕓 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 耐磨 抗菌 兼具 cr mo ag si 多元 復合 薄膜 制備 方法 | ||
本發明公開了一種耐磨與抗菌兼具的Cr?Mo?Ag?Si?C?N多元復合薄膜的制備方法,屬于表面工程以及摩擦學領域。其步驟:1)將基材安裝在鍍膜儀內的樣品臺,使用Ar離子束轟擊清洗和活化基底表面;2)通入Ar氣,旋轉樣品臺,利用鍍膜儀沉積約為0.2μm的Cr過渡層;3)通入Ar氣和N2氣,在Cr過渡層上沉積CrN梯度層;開啟Mo靶直流電源,逐漸提高Mo靶濺射電流,在CrN梯度層上沉積CrMoN梯度層;4)通入Ar氣、N2氣和三甲基硅烷氣體,開啟Ag靶電源,固定各靶濺射電流,在CrMoN梯度層上制備CrMoAgSiCN多元復合薄膜。本發明通過改變Ag靶濺射電流,獲得具有不同微結構,優異的力學性能和自潤滑特性,良好的耐腐蝕性、耐磨性和抗菌性能的Cr?Mo?Ag?Si?C?N多元復合薄膜。
技術領域:
本發明涉及一種耐磨與抗菌兼具的Cr-Mo-Ag-Si-C-N多元復合薄膜的制備方法,屬于表面工程以及摩擦學領域。
背景技術:
Cr-N薄膜由于具有良好的抗氧化和耐磨性,在工具保護方面具有廣闊的發展潛力。然而隨著工業和制造領域的發展,Cr-N薄膜逐漸不能滿足在高硬度、低摩擦系數和優秀耐腐蝕能力方面不斷增長的要求。研究者通過引入三甲基硅烷(TMS)制備出了四元Cr-Si-C-N薄膜,薄膜在低Si含量下表現出的固溶強化作用增強了硬度,并且由于無定形碳良好的潤滑減磨效果和Si元素在水環境下水合反應形成的Si(OH)4潤滑層而使薄膜具有更低的摩擦系數。但四元Cr-Si-C-N薄膜在潤滑條件不足時其摩擦學性能較差,并且不具備防污抗菌特性。研究表明,Mo元素在摻入薄膜后具有固溶強化作用,有利于增強力學性能。并且在海水環境下,含Mo的薄膜在摩擦中形成了層狀結構的MoO3作為自潤滑層,其有效地減小了摩擦系數。MoO3在水中進一步生成的鉬酸H2MoO4與水和氫離子H3O+,實現了破壞細菌內部pH平衡、酶和傳輸系統的作用,并有效地阻止了細菌粘附和生物膜的形成。這表明Mo元素的引入有助于實現薄膜表面的殺菌特性。另一方面,通過摻入Ag元素,薄膜表面分布覆蓋的Ag軟質潤滑形表現出了優良的高耐磨性。同時薄膜在菌液環境下釋放出金屬離子Ag+起到一定的殺菌效果,其在與鉬酸根離子MoO42-的配合下生成鉬酸銀Ag2MoO4具有低摩擦性,并對大腸桿菌和金黃色葡萄球菌顯示出極好的抑制和滅殺效果。因此,Cr-Mo-Ag-Si-C-N多元復合薄膜具有比四元Cr-Si-C-N薄膜更為優異的自潤滑摩擦學與殺菌特性。但關于多元Cr-Mo-Ag-Si-C-N薄膜,目前還無人研究。
發明內容:
本發明提出了一種耐磨與抗菌兼具的Cr-Mo-Ag-Si-C-N多元復合薄膜的制備方法,通過改變Ag靶濺射電流,獲得具有不同微結構,優異的力學性能和自潤滑特性,良好的耐腐蝕性、耐磨性和抗菌性能的Cr-Mo-Ag-Si-C-N多元復合薄膜。
本發明為解決其技術問題采用如下技術方案:
一種耐磨與抗菌兼具的Cr-Mo-Ag-Si-C-N多元復合薄膜的制備方法,包含如下步驟:
(1)開啟閉式非平衡磁控濺射鍍膜儀腔門,將基底清洗并吹干后安裝在鍍膜儀腔體內的樣品臺;
(2)將鍍膜儀腔體抽真空至2.0×10-6Torr,同時將真空腔體加熱至150℃,加速腔體內殘余水分蒸發;
(3)待腔體冷卻至室溫時,通入高純Ar氣,利用Ar離子束清洗并活化基底表面;在清洗后繼續保持通入Ar氣,并開啟磁控濺射電源,使靶材空跑5min,去除附著在其表面的氧化物;
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