[發明專利]一種磷酸二氫鉀類單晶光纖及其生長方法與應用有效
| 申請號： | 202010701740.3 | 申請日： | 2020-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN111876827B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發明（設計）人： | 任燕;劉雪妮;張承乾 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B7/08;G02B6/02;G02F1/35;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京惠科金知識產權代理有限公司 11981 | 代理人： | 劉瀟 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磷酸 二氫鉀類單晶 光纖 及其 生長 方法 應用 | ||
1.一種磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法，其特征在于，所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖為四方相磷酸二氫鉀單晶光纖或單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖；所述的磷酸二氫鉀的分子式為KH2PO4；
具體生長方法包括步驟如下：
將磷酸二氫鉀加入溶劑中，密封加熱溶解得到澄清磷酸二氫鉀溶液；將所得溶液在70-90℃下過熱48小時，之后過濾至生長槽中，冷卻至0-25℃，得到過飽和溶液；向上述過飽和溶液中加入晶種，在采用下種生長方式，在生長槽密封狀態下生長，得到單晶光纖；
所述的溶劑為超純水；
所述的磷酸二氫鉀溶液的質量分數為23-40％；
所述的晶種為直徑1-50μm，長徑比為20:1-70:1的KDP晶體；
所述的單晶光纖的直徑為1-100μm；所述單晶光纖的長徑比≥500：1。
2.根據權利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法，其特征在于，所述的四方相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于-42m點群，I-42d空間群，α＝β＝γ＝90°；所述的單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于2/m點群，P21/c空間群，α＝90°，γ＝90°，β＝108.040(5)°。
3.根據權利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法，其特征在于，所述的磷酸二氫鉀溶液的質量分數為26％、28.5％、31％、33.3％。
4.根據權利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法，其特征在于，所述的過濾為采用0.22微米的超細水膜過濾。
5.根據權利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法，其特征在于，所述的晶種為30:1-50:1的KDP晶體。
6.根據權利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法，其特征在于，生長過程中環境相對濕度為10％-60％。
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