[發明專利]半導體裝置的形成方法

在審

• 申請號: 202010699211.4
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112509916A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 林政明;楊世海;徐志安;方子韋;趙皇麟
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/51;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導體裝置的形成方法，包括：

形成一基板；

形成一第一間隔物與一第二間隔物于該基板上；

分別沉積一第一自組裝單層與一第二自組裝單層于該第一間隔物與該第二間隔物的側壁上；

沉積一層狀物堆疊于該基板之上以及該第一自組裝單層與該第二自組裝單層之間，且該層狀物堆疊接觸該第一自組裝單層與該第二自組裝單層，其中沉積該層狀物堆疊的步驟包括沉積一鐵電層；

移除該第一自組裝單層與該第二自組裝單層；

沉積一金屬化合物層于該鐵電層上，其中該金屬化合物層的部分沉積于該鐵電層與該第一間隔物或該第二間隔物之間；以及

沉積一柵極于該金屬化合物層之上以及該第一間隔物與該第二間隔物之間。