[發明專利]開口形貌的測量方法及裝置

有效

• 申請號: 202010699066.X
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111816581B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 郎陸廣;李斌;陳龍;鄒遠祥;張偉;周毅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種開口形貌的測量方法，其特征在于，包括：

構建目標區域的二維等效模型，所述目標區域包括膜層以及設置于所述膜層中的開口；所述目標區域包括縱向排列的多個子區域，所述二維等效模型包括每個子區域的二維等效結構；

獲取所述目標區域的實際光譜；

根據所述實際光譜，調整所述二維等效模型的模型參數；

根據調整后的模型參數，確定所述開口在所述膜層中的形貌。

2.根據權利要求1所述的開口形貌的測量方法，其特征在于，所述膜層包括多個層疊設置的子膜層；

所述構建目標區域的二維等效模型，包括：

將所述目標區域劃分為縱向排列的多個子區域，使每個子區域包括至少一個子膜層；

構建每個子區域的二維等效結構；

按照所述多個子區域的排列順序，將所述多個子區域的二維等效結構縱向排列，形成所述二維等效模型。

3.根據權利要求2所述的開口形貌的測量方法，其特征在于，所述構建每個子區域的二維等效結構，包括：

獲取每個子區域的測量參數，所述測量參數包括子區域中的開口體積占比以及每個子膜層的厚度、物理特性；

根據所述測量參數，確定每個子區域的二維等效結構參數，所述二維等效結構參數包括空氣占比、結構厚度和等效物理特性，所述空氣占比等于相應子區域中的開口體積占比；所述等效物理特性等效于相應子區域中所有子膜層和空氣的物理特性，所述結構厚度為相應子區域中所有子膜層的整體厚度；

根據所述二維等效結構參數，構建每個子區域的二維等效結構。

4.根據權利要求3所述的開口形貌的測量方法，其特征在于，所述根據所述實際光譜，調整所述二維等效模型的模型參數，包括：

獲取所述二維等效模型的理論光譜；

調整所述二維等效模型的模型參數，使所述理論光譜與所述實際光譜相同，所述模型參數包括所述多個子區域的二維等效結構參數。

5.根據權利要求1所述的開口形貌的測量方法，其特征在于，所述根據調整后的模型參數，確定所述開口在所述膜層中的形貌，包括：

根據調整后的模型參數，確定所述開口的深度與所述膜層的折射率的對應關系；

根據預設的折射率與開口尺寸的對應關系，確定所述開口的深度與開口尺寸的對應關系，進而確定所述開口在所述膜層中的形貌。

6.根據權利要求1所述的開口形貌的測量方法，其特征在于，所述開口包括半導體器件中的溝道孔、接觸孔，以及通過硬掩膜版蝕刻形成的開口中的任意一種。

7.一種開口形貌的測量裝置，其特征在于，包括：

構建模塊，用于構建目標區域的二維等效模型，所述目標區域包括膜層以及設置于所述膜層中的開口；所述目標區域包括縱向排列的多個子區域，所述二維等效模型包括每個子區域的二維等效結構；

獲取模塊，用于獲取所述目標區域的實際光譜；

調整模塊，用于根據所述實際光譜，調整所述二維等效模型的模型參數；以及，

確定模塊，用于根據調整后的模型參數，確定所述開口在所述膜層中的形貌。

8.根據權利要求7所述的開口形貌的測量裝置，其特征在于，所述膜層包括多個層疊設置的子膜層；

所述構建模塊包括：

劃分單元，用于將所述目標區域劃分為縱向排列的多個子區域，使每個子區域包括至少一個子膜層；

構建單元，用于構建每個子區域的二維等效結構；以及，

形成單元，用于按照所述多個子區域的排列順序，將所述多個子區域的二維等效結構縱向排列，形成所述二維等效模型。