[發(fā)明專利]一種基片架結(jié)構(gòu)及真空蒸鍍裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010699022.7 | 申請日: | 2020-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN111850501B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃穩(wěn);張敬娣;梁艦;宋祥慧;陳敏;顧婉瑩;武啟飛;馮敏強(qiáng);廖良生 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇集萃有機(jī)光電技術(shù)研究所有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基片架 結(jié)構(gòu) 真空 裝置 | ||
1.一種基片架結(jié)構(gòu),包括設(shè)置有冷卻水緩沖區(qū)(11)的基片架(1)以及與所述冷卻水緩沖區(qū)(11)連通的水管(21)和第一水口(22),冷卻水能依次流經(jīng)所述水管(21)、所述冷卻水緩沖區(qū)(11)和所述第一水口(22)或依次流經(jīng)所述第一水口(22)、所述冷卻水緩沖區(qū)(11)和所述水管(21)對所述基片架(1)進(jìn)行冷卻,其特征在于,
還包括由靠近至遠(yuǎn)離所述基片架(1)的方向依次套設(shè)于所述水管(21)上的第一磁流體(3)和第二磁流體(4);
所述第一磁流體(3)包括相互轉(zhuǎn)動連接的第一內(nèi)管(31)和第一外管(32),所述第二磁流體(4)包括相互轉(zhuǎn)動連接的第二內(nèi)管(41)和第二外管(42),所述第一內(nèi)管(31)與所述基片架(1)和第二外管(42)連接,且所述第一內(nèi)管(31)能夠沿所述水管(21)的軸線轉(zhuǎn)動;
所述第二內(nèi)管(41)的內(nèi)壁與所述水管(21)的外壁圍成水通路(23),所述水通路(23)一端與所述冷卻水緩沖區(qū)(11)連通,另一端與所述第一水口(22)連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括冷卻水套(24),所述冷卻水套(24)與所述第二內(nèi)管(41)連接,所述第一水口(22)設(shè)置于所述冷卻水套(24)上,所述冷卻水套(24)上還設(shè)置有第二水口(25),所述第二水口(25)與所述水管(21)連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括驅(qū)動組件(5),其輸出端設(shè)置有第一帶輪(51),所述第一內(nèi)管(31)的外周設(shè)置有與所述第一帶輪(51)連接的第二帶輪(33)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基片架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述驅(qū)動組件(5)包括驅(qū)動電機(jī)(52)和與所述驅(qū)動電機(jī)(52)的輸出端連接的減速器(53),所述第一帶輪(51)設(shè)置在所述減速器(53)的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基片架(1)包括相互扣合的冷卻上板(12)和冷卻下板(13),所述冷卻上板(12)和所述冷卻下板(13)之間圍成所述冷卻水緩沖區(qū)(11)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基片架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述冷卻上板(12)或所述冷卻下板(13)上設(shè)置有密封環(huán)槽(131),以密封所述冷卻水緩沖區(qū)(11)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基片架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基片架(1)還包括:
上基片托盤(15),設(shè)置于所述冷卻上板(12)遠(yuǎn)離所述冷卻下板(13)的一端,所述上基片托盤(15)上設(shè)置有第一基片座;
下基片托盤(16),設(shè)置于所述冷卻下板(13)遠(yuǎn)離所述冷卻上板(12)的一端,所述下基片托盤(16)與所述冷卻下板(13)連接,所述下基片托盤(16)上設(shè)置有第二基片座,所述第二基片座的面積大于所述第一基片座的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基片架結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基片架結(jié)構(gòu)還包括提升組件(6),所述提升組件(6)與所述上基片托盤(15)連接,以提升所述上基片托盤(15),使所述上基片托盤(15)與所述冷卻上板(12)脫離,或降下所述上基片托盤(15),使所述上基片托盤(15)與所述冷卻上板(12)連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇集萃有機(jī)光電技術(shù)研究所有限公司,未經(jīng)江蘇集萃有機(jī)光電技術(shù)研究所有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010699022.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





