[發明專利]一種晶圓雙面金屬工藝

在審

• 申請號: 202010699004.9
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111799152A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 嚴立巍;李景賢;陳政勛
• 申請（專利權）人: 紹興同芯成集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/48;H01L21/82
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 王依

1.一種晶圓雙面金屬工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1：通過研磨或蝕刻晶圓的一端面，使得所述晶圓呈中央薄且邊緣厚，而后依次進行離子注入與加熱退火；

S2：對所述晶圓的另一端面進行金屬鍍膜；

S3：對所述晶圓的一端面涂布聚酰亞胺，并加熱，使所述聚酰亞胺硬化，形成聚酰亞胺涂層；

S4：在所述晶圓的另一端面依次進行光阻涂布、曝光與顯影；

S5：去除涂布在所述晶圓的另一端面的光阻，以及所述聚酰亞胺涂層，清洗所述晶圓；

S6：對所述晶圓的一端面進行金屬鍍膜；

S7：將所述晶圓固定在切割?？蛏?，使用含氟電漿或雷射進行切割。

2.根據權利要求1所述的晶圓雙面金屬工藝，其特征在于，所述聚酰亞胺涂層的厚度為20～50微米。

3.根據權利要求1所述的晶圓雙面金屬工藝，其特征在于，所述金屬鍍層的材質為銅或鋁。

4.根據權利要求1所述的晶圓雙面金屬工藝，其特征在于，在所述步驟S5中，使用氧電漿去除所述光阻或所述聚酰亞胺涂層。

5.根據權利要求1所述的晶圓雙面金屬工藝，其特征在于，在所述步驟S2中，將聚酰亞胺加熱至250～300℃，以實現聚酰亞胺的硬化。