[發明專利]一種晶圓級芯片封裝結構及其封裝工藝在審
| 申請號： | 202010698631.0 | 申請日： | 2020-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN111816624A | 公開（公告）日： | 2020-10-23 |
| 發明（設計）人： | 嚴邦杰;馮馳;林遠;陳祥盼 | 申請（專利權）人： | 寧波力源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 石來杰 |
| 地址： | 315000 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶圓級 芯片 封裝 結構 及其 工藝 | ||
1.一種晶圓級芯片封裝結構，其特征在于：包括晶圓(1)，所述晶圓(1)上設有金屬焊墊(2)，所述金屬焊墊(2)上對應設有金屬觸點(3)，所述晶圓(1)及金屬焊墊(2)外包覆有塑封層(4)，所述金屬觸點(3)部分位于塑封層(4)外。
2.如權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于：所述金屬觸點(3)的周側包裹于塑封層(4)內，且所述金屬觸點(3)的上表面與塑封層(4)的上表面位于同一水平面上。
3.如權利要求2所述的晶圓級芯片封裝結構，其特征在于：所述金屬觸點(3)的上、下表面均為圓形，且上表面的直徑大于下表面的直徑。
4.一種晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：包括如下步驟：
S1：在載物板(5)上設置晶圓(1)，在所述晶圓(1)的表面印刷形成至少兩個間隔設置的金屬焊墊(2)；
S2：在所述金屬焊墊(2)上植入焊球(6)并冷卻；
S3：通過熔融處理使所述焊球(6)熔化形成金屬觸點(3)；
S4：在晶圓(1)上切割形成凹槽(1a)；
S5：對晶圓(1)上的凹槽(1a)、金屬焊墊(2)及所述金屬觸點(3)塑封處理以形成第一塑封層(41)；
S6：對晶圓(1)上部的所述第一塑封層(41)打磨減薄，以露出部分金屬觸點(3)；
S7：對晶圓(1)的下部打磨減薄以形成減薄晶圓；
S8：對所述減薄晶圓的下部塑封處理以形成第二塑封層(42)。
5.如權利要求4所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：所述減薄晶圓的厚度為150-300um。
6.如權利要求4所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：所述金屬焊墊(2)的厚度為10-50um。
7.如權利要求4所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：減薄后的所述金屬觸點(3)的厚度為40-60um。
8.如權利要求4所述的晶圓級芯片封裝工藝，其特征在于：減薄后的所述第一塑封層的高度為50-110um，所述第二塑封層的高度為40-150um。
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