[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010698164.1
• 申請(qǐng)日: 2020-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN112510046A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃至偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

一基底；

多個(gè)電容接觸點(diǎn)，位在該基底上，所述多個(gè)電容接觸點(diǎn)至少其一具有一頸部以及一頭部，該頭部位在頸部上，其中該頭部的一上寬度大于該頸部的一上寬度；

多個(gè)位元線接觸點(diǎn)以及多個(gè)位元線，所述多個(gè)位元線接觸點(diǎn)位在該基底上，所述多個(gè)位元線位在所述多個(gè)位元線接觸點(diǎn)上，其中所述多個(gè)位元線至少其一為一波形線，該波形線在二相鄰電容接觸點(diǎn)之間延伸；以及

一電容結(jié)構(gòu)，位在該頭部上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該頭部的該上寬度大于該頭部的一下寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該頸部的該上寬度大致地相同于該頭部的一下寬度。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該頭部具有一弧形側(cè)壁。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該頭部具有一錐形輪廓。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括含鎢的一導(dǎo)電部件，該導(dǎo)電部件位在該基底上。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，還包括含氮化鎢的一包覆層，該包覆層位在該導(dǎo)電部件的一頂表面上。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電部件位在所述電容結(jié)構(gòu)下。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電部件位在所述電容結(jié)構(gòu)上。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，還包括多個(gè)字元線以及一摻雜區(qū)，所述多個(gè)字元線位在該基底中，該摻雜區(qū)位在所述多個(gè)字元線其中一對(duì)之間，其中導(dǎo)電部件位在該摻雜區(qū)上。

11.一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括：

提供一基底；

在該基底的一第一部位上形成多個(gè)位元線接觸點(diǎn)；

在所述多個(gè)位元線接觸點(diǎn)上形成多個(gè)位元線；

在該基底的一第二部位形成一電容接觸點(diǎn)，該電容接觸點(diǎn)具有一頸部，并在該頸部上形成一頭部，其中該頭部的一上寬度大于該頸部的一上部位；以及

在該頭部上形成一電容結(jié)構(gòu)；

其中所述多個(gè)位元線的至少其一為一波形線，該波形線在二相鄰電容接觸點(diǎn)之間延伸。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中形成一電容接觸點(diǎn)包括：

形成一接觸孔，該接觸孔為一介電堆疊，該介電堆疊具有一第一層以及一第二層，該第二層位在該第一層上；

移除該第二層圍繞該接觸孔的一部分，以形成一轉(zhuǎn)換孔，該轉(zhuǎn)換孔具有一窄部以及一寬部，該窄部位在該第一層中，該寬部位在該第二層中；以及

將一導(dǎo)電材料充填入該轉(zhuǎn)換孔。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中該接觸孔與一位元線溝槽一體成形在該第二層中。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：以一填充材料充填該位元線溝槽與該接觸孔的一下部位。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，其中移除該第二層圍繞該接觸孔的一部分是在以一犧牲材料充填該接觸孔的該下部位之后才執(zhí)行。

16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件的制備方法，還包括：

在該基底上形成含有鎢的一導(dǎo)電部件；以及

在該導(dǎo)電部件的一頂表面上形成含有氮化鎢的一包覆層。