[發明專利]半導體結構和制造半導體結構的方法

在審

• 申請號: 202010698144.4
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112420497A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 呂宗育;張耀仁;邱紹玲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033;H01L23/544
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李琛;黃艷

本公開提供用于制造半導體結構的方法。該方法包括：形成復數晶粒區域在半導體基底上；經由第一掩模，形成第一特征在每一晶粒區域的第一產品區域；經由第二掩模，形成第二特征在每一晶粒區域的第二產品區域；經由第三掩模，形成第三特征在每一晶粒區域的一第三產品區域；經由第四掩模，形成第四特征在每一晶粒區域的一第四產品區域；以及經由第一、第二、第三與第四掩模，形成第五特征在每一晶粒區域的第一、第二、第三與第四產品區域之間的對準區域。第一產品區域沒有第二特征、第三特征和第四特征。

技術領域

本公開實施例涉及半導體結構，且特別涉及制造半導體結構的方法。

背景技術

集成電路(IC)變得越來越重要。使用集成電路的應用已被數百萬人使用。這些應用的示范例包括手機、智能手機、平板電腦、膝上型電腦、筆記本電腦、個人數字助理(PDA)、無線電子郵件終端、數字音樂(MP3) 音頻和視頻播放器以及便攜式無線網頁(Web)瀏覽器。集成電路越來越多地包括功能強大且高效的板上(on-board)數據存儲以及用于信號控制和處理的邏輯電路。

由于整合密度和各種電子部件的復雜性的不斷提高，半導體工業經歷了快速的增長。當功能和復雜性增加時，集成電路的面積就會增加。

發明內容

本公開實施例提供一種制造半導體結構的方法。該方法包括：形成半導體基底；形成復數晶粒區域在半導體基底上，其中晶粒區域是由復數切割道而互相隔開；經由一第一掩模，形成復數第一特征在一材料層的每一晶粒區域的一第一產品區域；經由一第二掩模，形成復數第二特征在材料層的每一晶粒區域的一第二產品區域；經由一第三掩模，形成復數第三特征在材料層的每一晶粒區域的一第三產品區域；經由一第四掩模，形成復數第四特征在材料層的每一晶粒區域的一第四產品區域；以及經由第一掩模、第二掩模、第三掩模與第四掩模，形成復數第五特征在材料層的每一晶粒區域的第一產品區域、第二產品區域、第三產品區域與第四產品區域之間的一對準區域。第一產品區域相鄰于第二產品區域和第三產品區域并物理性接觸，以及第一產品區域沒有第二特征、第三特征和第四特征。

再者，本公開實施例提供一種半導體結構。半導體結構包括復數產品區域、復數對準區域、復數第一特征與復數第二特征。產品區域位于一半導體基底上。對準區域位于半導體基底上。第一特征形成在半導體基底上的材料層。第二特征形成在半導體基底上的材料層。每一對準區域是設置在一組的四個產品區域之間，以及該組中的每一產品區域與其他兩個產品區域相鄰并物理性接觸。第一特征延伸跨過該組的兩個相鄰產品區域，而第二特征是設置于該組的產品區域內。第一特征的寬度等于第二特征的寬度。

再者，本公開實施例提供一種半導體結構。半導體結構包括復數產品區域與復數對準區域。產品區域位于半導體基底上。對準區域位于半導體基底上。每一對準區域都設置于一組的四個產品區域之間，以及該組中的每一產品區域都與其他兩個產品區域相鄰并物理性接觸。產品區域設置在第一陣列的行和列中，以及對準區域設置在第二陣列的行和列中。第一陣列和第二陣列具有相同的中心點。

附圖說明

圖1是顯示根據本公開一些實施例所述的微影系統的示意圖。

圖2是顯示根據本公開一些實施例所述的半導體芯片的平面圖。

圖3是顯示根據本公開一些實施例所述的半導體結構的平面圖。

圖4是顯示根據本公開一些實施例所述的制造圖3的半導體結構的工藝流程圖。

圖5A是顯示根據本公開一些實施例所述的對應于圖3的產品區域 210A_1和對準區域220A的掩模。

圖5B是顯示根據本公開一些實施例所述的對應于圖3的產品區域 210A_2和對準區域220A的掩模。

5C圖是顯示根據本公開一些實施例所述的對應于圖3的產品區域 210A_3和對準區域220A的掩模。