[發明專利]一種大模場微結構光纖

有效

• 申請號: 202010698098.8
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111897043B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 王龍飛;李凡;眭立洪;羅詠淋;陳宏達
• 申請（專利權）人: 江蘇永鼎股份有限公司;江蘇永鼎光纖科技有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 蘇州知途知識產權代理事務所(普通合伙) 32299
• 代理人: 馬剛強

1.一種大模場微結構光纖，其特征在于，包括纖芯（1），包覆所述纖芯（1）的環（2），包覆所述環（2）的內包層背底（4），所述內包層背底（4）內分布有若干組件（3），組件（3）排列呈若干由內向外層疊排列的環狀，所述纖芯（1）、環（2）、組件（3）和內包層背底（4）為玻璃，所述纖芯（1）的折射率為n₁，環（2）的折射率為n₂，組件（3）的折射率為n₃，內包層背底（4）的折射率為n₄，則同時滿足n₄≥n₁≥n₂、n₄≥n₁≥n₃、

1×10^-2≥Δn=n₁-n₄≥0；

所述纖芯（1）采用純石英玻璃材料，所述環（2）和組件（3）采用摻氟石英玻璃材料，所述內包層背底（4）采用摻鍺石英玻璃材料。

2.根據權利要求1所述的大模場微結構光纖，其特征在于，所述組件（3）的層數至少

為1，所述環（2）的個數至少為1。

3.根據權利要求1所述的大模場微結構光纖，其特征在于，所述組件（3）橫截面呈圓形，相鄰的所述組件（3）的中心間距Λ₃滿足0≤d₃/Λ₃≤1，其中d₃為組件（3）的直徑。

4.根據權利要求3所述的大模場微結構光纖，其特征在于，不同所述組件（3）的d₃相同。

5.根據權利要求1所述的大模場微結構光纖，其特征在于，光纖的基模的限制損耗

CL≤0.5dB/m，高階模的限制損耗CL≥30dB/m。

6.根據權利要求5所述的大模場微結構光纖，其特征在于，所述基模的重疊因子OF≥90%,同時基模與高階模的OF之差ΔOF≥30%。

7.根據權利要求1所述的大模場微結構光纖，其特征在于，排列在最內1-2層的至少部分組件（3）直徑小于其他層的組件（3）直徑。

8.根據權利要求7所述的大模場微結構光纖，其特征在于，排列在最內1-2層的所有組件（3）直徑小于其他層的組件（3）直徑。

9.根據權利要求1所述的大模場微結構光纖，其特征在于，所述環（2）的厚度為

1-10μm。