[發明專利]一種具有高飽和磁化強度的稀土高熵合金材料及其制備方法在審
| 申請號： | 202010698014.0 | 申請日： | 2020-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN111719076A | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 馬壘;盧世翻;饒光輝;王江;杜玉松;李林;趙景泰 | 申請（專利權）人： | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號： | C22C30/00 | 分類號： | C22C30/00;C22C1/02;H01F1/147 |
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| 地址： | 541004 廣西*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 飽和磁化強度 稀土 合金材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種GdTbHoEr高飽和磁化強度材料，其特征在于：以Gd、Tb、Ho和Er為原料，經電弧熔煉制備得化學式為GdTbHoEr的高飽和磁化強度材料。
2.根據權利要求書1所述GdTbHoEr高飽和磁化強度材料，其特征在于：所述GdTbHoEr高飽和磁化強度材料具有單一密排六方的晶體結構。
3.根據權利要求書1所述GdTbHoEr高飽和磁化強度材料，其特征在于：所述元素成分還包含La或Y中的一種或兩種。
4.根據權利要求書1所述GdTbHoEr高飽和磁化強度材料的制備方法，其特征在于步驟為：原料的熔煉，按照化學式GdTbHoEr，稱量Gd、Tb、Ho和Er，然后經熔煉制備成GdTbHoEr合金；如果所得合金的相結構為單一密排六方的晶體結構，則無需后續熱處理，如果所得合金的相結構不為單一密排六方的晶體結構，則再進行適宜的熱處理，使合金的相為單一密排六方的晶體結構。
5. 根據權利要求書4所述的制備方法，其特征在于：所述的熔煉方法為電弧熔煉法，所述電弧熔煉法的條件為將配置好的原料放入電弧爐中用機械泵和擴散泵兩級抽真空，當真空度達2×10-3Pa時，用純度為99.99% 的高純氬氣清洗3-5次后，在1大氣壓的高純氬氣保護下反復翻轉熔煉3-10次， 每次所加的電流在100-110A之間，且在每個樣品上停留6-10s，熔煉后隨爐冷卻至室溫，獲得成分均勻的GdTbHoEr合金錠。
6. 根據權利要求書1所述GdTbHoEr高飽和磁化強度材料作為磁性材料的應用，其特征在于：GdTbHoEr高飽和磁化強度材料具有磁相轉變特性，GdTbHoEr高飽和磁化強度材料在低于奈爾溫度時，飽和磁化強度達到290-300 emu/g。
7.根據權利要求書6所述GdTbHoEr高飽和磁化強度材料作為磁性材料的應用，其特征在于：以高熵合金GdTbHoEr為基體，通過加入La與Y，在190K到120K范圍內調控合金的磁轉變溫度。
8. 根據權利要求書6所述GdTbHoEr高飽和磁化強度材料作為磁性材料的應用，其特征在于：以高熵合金GdTbHoEr為基體，通過加入La與Y，在600 Oe到1706 Oe范圍內調控合金的矯頑力。
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