[發明專利]一種與基底表面具有高粘附力的直立Au納米錐的制備方法

有效

• 申請號: 202010697339.7
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112018213B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 李彩瓊;趙俊鳳;劉文文;趙志國;史丹丹;史先利;董曉燕;余鑫祥;戴菡
• 申請（專利權）人: 煙臺南山學院
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;G01N21/65
• 代理公司: 煙臺智宇知識產權事務所(特殊普通合伙) 37230
• 代理人: 李增發

1.一種與基底表面具有高粘附力的直立Au納米錐的制備方法，其特征在于按照以下步驟進行：

a. 清洗硅片：將硅片浸泡于分析純丙酮中，常溫條件下浸泡3min，將丙酮浸泡過的硅片放入盛有去離子水的超聲波容器中，清洗10 min；然后浸泡于盛有去離子水的超聲波容器中，清洗5～10min，得到表面清潔的硅片，最后用氮氣將表面清潔的硅片吹干，保存在干燥器內；

b. 硅片刻蝕：在室溫下將步驟a的硅片直接浸入蝕刻劑中進行刻蝕；

c. 硅片干燥：在氮氣保護下，將步驟b的硅片在100～150℃條件下，退火2～3 h，空冷至常溫，放入干燥箱；

d. Au箔制備：在步驟c的硅片表面采用射頻功率200W、真空度0.4～1.0Pa、Ar氣氛條件下，蒸發金靶材8～10min；然后在350～450℃條件下，退火1.5～2.0h，空冷至常溫；

e. Au納米錐制備：將步驟d的硅片用玻璃刀在其底部1/3處切斷，向另外一側緩慢撕開Au箔。

2.如權利要求1所述的一種與基底表面具有高粘附力的直立Au納米錐的制備方法，其特征在于，步驟a中硅片尺寸為1*1～3*3 cm、晶向為111。

3.如權利要求1所述的一種與基底表面具有高粘附力的直立Au納米錐的制備方法，其特征在于，步驟a中在將丙酮浸泡過的硅片放入盛有去離子水的超聲波容器中之前，先用CP4A洗液對超聲波處理過的硅片進行表面劃痕處理至表面粗糙度小于1nm；再將經劃痕處理后硅片放入7%氫氟酸水溶液中，浸泡10～15 min，最后將氫氟酸水溶液處理后的硅片浸泡于盛有去離子水的超聲波容器中清洗。

4.如權利要求1所述的一種與基底表面具有高粘附力的直立Au納米錐的制備方法，其特征在于，步驟b中蝕刻劑為氫氟酸與雙氧水的水溶液，三者的體積比為HF:H₂O₂:H₂O=1:5:10，刻蝕時間為2～4min。

5.如權利要求1所述的一種與基底表面具有高粘附力的直立Au納米錐的制備方法，其特征在于，步驟d 中在硅片表面沉積的Au箔的厚度為80～100nm。

6.如權利要求1所述的一種與基底表面具有高粘附力的直立Au納米錐的制備方法，其特征在于，在步驟e 的撕開過程中使用微動臺輔助，撕開速度控制在1～5mm/min。