[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010697207.4
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN112002801B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱泰瑋;沈鼎瀛;錢鶴
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)研發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京樂知新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11734
• 代理人: 江宇

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上沉積底部電極金屬層材料；

在所述底部電極金屬層材料之上沉積阻變層材料；

在所述阻變層材料之上沉積阻氧層材料；

在所述阻氧層材料之上沉積抓氧層材料；

在所述抓氧層材料之上沉積頂部電極金屬層材料；

圖案化所述底部電極金屬層材料、阻變層材料、阻氧層材料、抓氧層材料、頂部電極金屬層材料，形成底部電極金屬層、阻變層、阻氧層、抓氧層、頂部電極金屬層；

蝕刻所述底部電極金屬層、抓氧層、頂部電極金屬層，使得所述底部電極金屬層、抓氧層、頂部電極金屬層的橫向?qū)挾刃∮谒鲎枳儗印?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻所述底部電極金屬層、抓氧層、頂部電極金屬層包括：

利用濕法刻蝕工藝蝕刻所述底部電極金屬層、抓氧層、頂部電極金屬層，并且在所述底部電極金屬層、抓氧層、頂部電極金屬層的側(cè)壁形成金屬氧化區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體器件的外側(cè)沉積側(cè)壁隔氧保護層材料，形成側(cè)壁隔氧保護層。

4.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件采用權(quán)利要求1至3任一制造方法制備而成，所述半導(dǎo)體器件包括：

位于半導(dǎo)體襯底上的底部電極金屬層和頂部電極金屬層；

位于所述底部電極金屬層和頂部電極金屬層之間的阻變層，所述阻變層的橫向?qū)挾却笥谒龅撞侩姌O金屬層和頂部電極金屬層的橫向?qū)挾龋鲎枳儗泳哂锌勺冸娮瑁?/p>

位于所述底部電極金屬層和頂部電極金屬層之間的阻氧層，所述阻氧層位于所述阻變層之上；

位于所述底部電極金屬層和頂部電極金屬層之間的抓氧層，所述抓氧層的橫向?qū)挾刃∮谒鲎枳儗拥臋M向?qū)挾龋鲎パ鯇游挥谒鲎柩鯇又稀?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述底部電極金屬層、頂部電極金屬層和所述抓氧層的側(cè)壁為金屬氧化區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述抓氧層的橫向?qū)挾刃∮谒龅撞侩姌O金屬層和/或頂部電極金屬層的橫向?qū)挾龋换蛘撸?/p>

所述抓氧層的橫向?qū)挾却笥谒龅撞侩姌O金屬層和/或頂部電極金屬層的橫向?qū)挾取?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件的外側(cè)覆蓋有側(cè)壁隔氧保護層，以隔離所述半導(dǎo)體器件外部的氧原子。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻變層的組成材料為氧化鋁鉿(HfAlO)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋁(AlOx)和氧化鉭(TaOx)中的一種或多種。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述抓氧層的組成材料包括鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鋁(Al)中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述阻氧層和所述側(cè)壁隔氧保護層的組成材料包括三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO_x)、氮氧化鈦(TiON)的一種或多種。