[發明專利]存儲器裝置、磁阻式隨機存取存儲器裝置及其形成方法在審
| 申請號： | 202010696355.4 | 申請日： | 2020-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN112310275A | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 葛衛倫;林世杰;宋明遠 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/02;H01L43/04;H01L43/12;H01L43/14 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 裝置 磁阻 隨機存取存儲器 及其 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種存儲器裝置，包括：
磁隧道結結構，上覆在半導體襯底之上，其中所述磁隧道結結構包括自由層、參考層及設置在所述自由層與所述參考層之間的隧道障壁層；
底部電極通孔，位于所述磁隧道結結構之下，其中所述底部電極通孔從所述磁隧道結結構橫向偏移一橫向距離；
自旋軌道扭矩層，垂直設置在所述底部電極通孔與所述磁隧道結結構之間，其中所述自旋軌道扭矩層沿所述底部電極通孔與所述磁隧道結結構之間的所述橫向距離連續延伸；以及
分流層，延伸跨過所述自旋軌道扭矩層的上表面，其中所述分流層延伸跨過所述橫向距離的至少一部分。
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