[發(fā)明專利]一種拋光頭及拋光裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010695986.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-07-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111823130A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁彥榮;張?jiān)?/a>;盧一泓;劉青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | B24B37/30 | 分類號(hào): | B24B37/30;B24B37/34;B24B37/26;B24B41/00 |
| 代理公司: | 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667 | 代理人: | 趙永剛 |
| 地址: | 100029 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 拋光 裝置 | ||
1.一種拋光頭,用于將晶圓保持在拋光平臺(tái)上,其特征在于,包括:
殼體;
與所述殼體連接且環(huán)繞于所述晶圓四周以限位所述晶圓的限位環(huán);其中,所述限位環(huán)的內(nèi)徑大于所述晶圓的直徑,以在所述晶圓與所述限位環(huán)之間具有縫隙;
位于所述限位環(huán)內(nèi)且抵壓在所述晶圓表面的背膜;
還包括:位于所述背膜與所述拋光平臺(tái)之間且填充在所述縫隙內(nèi)的環(huán)結(jié)構(gòu),所述環(huán)結(jié)構(gòu)用于抵壓在所述拋光平臺(tái)上。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光頭,其特征在于,所述背膜上設(shè)置有吸氣以吸附所述環(huán)結(jié)構(gòu)的氣孔,所述氣孔還用于吹氣以將所述環(huán)結(jié)構(gòu)抵壓在所述拋光平臺(tái)上。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光頭,其特征在于,所述氣孔還用于吸氣以吸附所述晶圓,或吹氣以將所述晶圓抵壓在所述拋光平臺(tái)上。
4.如權(quán)利要求1所述的拋光頭,其特征在于,所述環(huán)結(jié)構(gòu)的材料為樹(shù)脂。
5.如權(quán)利要求4所述的拋光頭,其特征在于,所述樹(shù)脂為聚醚醚酮樹(shù)脂或聚苯硫醚樹(shù)脂。
6.如權(quán)利要求1所述的拋光頭,其特征在于,所述環(huán)結(jié)構(gòu)的厚度為h1,所述晶圓的厚度為h2;其中,-2mm≤h1-h2≤2mm。
7.如權(quán)利要求6所述的拋光頭,其特征在于,所述環(huán)結(jié)構(gòu)的厚度為0.8~5mm。
8.如權(quán)利要求1所述的拋光頭,其特征在于,所述環(huán)結(jié)構(gòu)的寬度為5~20mm。
9.一種拋光裝置,其特征在于,用于對(duì)晶圓表面拋光,包括:
拋光平臺(tái),所述拋光平臺(tái)包括轉(zhuǎn)盤(pán)、以及設(shè)置在所述轉(zhuǎn)盤(pán)上且用于對(duì)所述晶圓拋光的拋光墊;
位于所述拋光墊上方的如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的拋光頭。
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