[發明專利]一種復合型晶體管器件的過流保護電路

有效

• 申請號: 202010695793.9
• 申請日: 2020-07-20
• 公開（公告）號: CN111565033B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 弗朗哥·馬洛貝蒂;阿爾珀-阿克迪克門;戴彬;劉筱偉;劉興龍
• 申請（專利權）人: 微龕（廣州）半導體有限公司
• 主分類號: H03K17/082
• 分類號: H03K17/082
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林麗麗

1.一種復合型晶體管器件的過流保護電路，連接于輸入端和負載端之間，其特征在于，所述過流保護電路包括：

控制端電壓產生模塊，用于在第一電壓的驅動下，使其輸出端電壓跟隨輸入端電壓變化，從而產生控制端電壓以輸出；

復合型晶體管器件，連接于控制端電壓產生模塊和負載端之間，用于在控制端電壓及第二電壓的作用下導通，從而產生流經所述負載端的輸出電流；所述復合型晶體管器件包括：第一晶體管及第二晶體管，所述第一晶體管的控制端連接于所述控制端電壓產生模塊及所述過流保護模塊，所述第一晶體管的第一連接端連接于所述過流保護模塊，所述第一晶體管的第二連接端連接于所述第二晶體管的控制端，所述第二晶體管的第一連接端接入所述第二電壓，所述第二晶體管的第二連接端連接于所述負載端；其中，所述第一晶體管的第二連接端還通過第一電阻接入所述第二電壓；

過流保護模塊，連接于復合型晶體管器件和負載端之間，用于在所述輸出電流超出電流限定值時，向所述復合型晶體管器件提供鉗位電壓，并利用所述鉗位電壓對流經所述復合型晶體管器件的電流進行限制，從而對所述輸出電流進行限流。

2.根據權利要求1所述的復合型晶體管器件的過流保護電路，其特征在于，所述控制端電壓產生模塊包括：第一電流源、第二電流源及PMOS控制管，所述第一電流源的一端接入所述第一電壓，所述第一電流源的另一端連接于所述PMOS控制管的源極端，同時接入所述輸入端電壓，所述PMOS控制管的漏極端連接于所述第二電流源的一端，所述第二電流源的另一端接入所述第二電壓，所述PMOS控制管的柵極端連接于其漏極端，同時作為所述控制端電壓產生模塊的輸出端。

3.根據權利要求1所述的復合型晶體管器件的過流保護電路，其特征在于，所述第一晶體管包括PMOS晶體管，所述第二晶體管包括NPN型晶體管；此時，所述PMOS晶體管的柵極端連接于所述控制端電壓產生模塊及所述過流保護模塊，所述PMOS晶體管的源極端連接于所述過流保護模塊，所述PMOS晶體管的漏極端連接于所述NPN型晶體管的基極，所述NPN型晶體管的發射極接入所述第二電壓，所述NPN型晶體管的集電極連接于所述負載端。

4.根據權利要求1所述的復合型晶體管器件的過流保護電路，其特征在于，所述第一晶體管包括PNP型晶體管，所述第二晶體管包括NMOS晶體管；此時，所述PNP型晶體管的基極連接于所述控制端電壓產生模塊及所述過流保護模塊，所述PNP型晶體管的發射極連接于所述過流保護模塊，所述PNP型晶體管的集電極連接于所述NMOS晶體管的柵極端，所述NMOS晶體管的源極端接入所述第二電壓，所述NMOS晶體管的漏極端連接于所述負載端。

5.根據權利要求1所述的復合型晶體管器件的過流保護電路，其特征在于，所述第一晶體管包括PMOS晶體管，所述第二晶體管包括NMOS晶體管；此時，所述PMOS晶體管的柵極端連接于所述控制端電壓產生模塊及所述過流保護模塊，所述PMOS晶體管的源極端連接于所述過流保護模塊，所述PMOS晶體管的漏極端連接于所述NMOS晶體管的柵極端，所述NMOS晶體管的源極端接入所述第二電壓，所述NMOS晶體管的漏極端連接于所述負載端。

6.根據權利要求1所述的復合型晶體管器件的過流保護電路，其特征在于，所述第一晶體管包括PNP型晶體管，所述第二晶體管包括NPN型晶體管；此時，所述PNP型晶體管的基極連接于所述控制端電壓產生模塊及所述過流保護模塊，所述PNP型晶體管的發射極連接于所述過流保護模塊，所述PNP型晶體管的集電極連接于所述NPN型晶體管的基極，所述NPN型晶體管的發射極接入所述第二電壓，所述NPN型晶體管的集電極連接于所述負載端。

7.根據權利要求1至6任一項所述的復合型晶體管器件的過流保護電路，其特征在于，所述過流保護模塊包括：二極管串及第二電阻，所述二極管串的陽極端連接于所述第二電阻的一端，同時連接于所述負載端，所述二極管串的陰極端連接于所述第一晶體管的控制端，所述第二電阻的另一端連接于所述第一晶體管的第一連接端；其中，所述二極管串包括N個串聯的二極管，N為大于1的正整數。

8.根據權利要求7所述的復合型晶體管器件的過流保護電路，其特征在于，所述第二電阻為可調電阻。