[發明專利]溝槽柵器件及其制作方法

在審

• 申請號: 202010695546.9
• 申請日: 2020-07-16
• 公開（公告）號: CN111883515A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 趙龍杰
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種溝槽柵器件，其特征在于，至少包括形成有超級結結構的襯底、形成于所述襯底中的溝槽柵結構、位于襯底表面的層間介質層；

所述溝槽柵結構包括覆蓋溝槽底部和側壁的柵介質層、位于所述柵介質層內側的多晶硅柵、位于所述多晶硅柵內側的中間介質層、位于所述中間介質層內側的輔助多晶硅層；

在所述襯底中，所述溝槽柵結構的外側形成有源區；

所述層間介質層中形成有接觸孔，所述多晶硅柵、所述輔助多晶硅層、所述源區分別通過所述接觸孔引出；

引出的所述輔助多晶硅層與引出的所述源區連接。

2.根據權利要求1所述的溝槽柵器件，其特征在于，在所述襯底中，所述溝槽柵結構的外側形成有阱區，所述源區位于所述阱區的頂部。

3.根據權利要求1所述的溝槽柵器件，其特征在于，所述超級結結構的N型柱內形成有所述溝槽柵結構。

4.根據權利要求1所述的溝槽柵器件，其特征在于，在所述溝槽柵結構中，所述溝槽底部至所述溝槽深度的1/4至1/2處由多晶硅柵完全填充。

5.一種溝槽柵器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在形成有超級結結構的襯底中形成溝槽；

在所溝槽內形成柵介質層；

利用多晶硅填充所述溝槽的一部分，形成多晶硅柵；

在所述溝槽內形成中間介質層；

利用多晶硅填充所述溝槽中的間隙，形成輔助多晶硅層；

在所述襯底中形成溝槽柵器件的源區；

沉積層間介質層，并在層間介質層中形成接觸孔，所述接觸孔用于將所述多晶硅柵、所述輔助多晶硅層、所述源區引出；

將引出的所述輔助多晶硅層與引出的所述源區連接。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在形成有超級結結構的襯底中形成溝槽，包括：

在所述襯底中所述超級結結構的N型柱內形成所述溝槽。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述柵介質層為氧化層。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述利用多晶硅填充所述溝槽的一部分，形成多晶硅柵，包括：

沉積多晶硅至所述溝槽深度的1/4至1/2處被完全填充，形成多晶硅柵。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底中形成溝槽柵器件的源區，包括：

在所述溝槽的外側形成阱區；

在所述阱區的頂部形成所述溝槽柵器件的源區。