[發(fā)明專利]基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010695264.9
• 申請(qǐng)日: 2020-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN111638405A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史宇欣;王亮;郭惠東;孟慶萌;吳攀;雷達(dá);李瑞;馬振國;郝偉;白瑞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國網(wǎng)山西省電力公司電力科學(xué)研究院
• 主分類號(hào): G01R29/18
• 分類號(hào): G01R29/18;G01R25/00;G01R19/25;G05B19/042;G08C17/02;G04R20/02
• 代理公司: 太原景譽(yù)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 14113
• 代理人: 鄭景華

1.基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀，其特征是，所述遠(yuǎn)程二次核相儀包括至少兩臺(tái)核相機(jī)，兩臺(tái)核相機(jī)之間通過無線信號(hào)連接，所述核相機(jī)包括：中央處理模塊、電壓采集模塊、對(duì)時(shí)模塊、遠(yuǎn)方交互模塊、存儲(chǔ)模塊和電源；所述中央處理模塊分別與電壓采集模塊、對(duì)時(shí)模塊、遠(yuǎn)方交互模塊和存儲(chǔ)模塊電氣連接，所述電源為整個(gè)遠(yuǎn)程二次核相儀運(yùn)行提供電力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀，其特征是：所述中央處理模塊為STM32單片機(jī)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀，其特征是：所述電壓采集模塊包括：?jiǎn)蜗嚯妷簻y(cè)量互感器、低通濾波器、A/D轉(zhuǎn)換芯片，所述單相電壓測(cè)量互感器輸出端和低通濾波器信號(hào)輸入端連接，所述低通濾波器輸出端和A/D轉(zhuǎn)換芯片電氣連接，所述A/D轉(zhuǎn)換芯片和中央處理模塊電氣連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀，其特征是：所述對(duì)時(shí)模塊包括：GPS接收單元和IRIG-B輸出單元；所述GPS接收單元與IRIG-B輸出單元電氣連接，所述IRIG-B輸出單元和中央處理模塊串口連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀，其特征是：所述遠(yuǎn)方交互模塊為5G通信模組。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀，其特征是：所述存儲(chǔ)模塊為VTI7512NSM存儲(chǔ)芯片，所述VTI7512NSM存儲(chǔ)芯片與中央處理模塊串口連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于同步測(cè)量的遠(yuǎn)程二次核相儀，其特征是：所述電源為包括：電池和穩(wěn)壓電路；

所述電池正極串聯(lián)二極管D1后與MS1117-3.3芯片的In引腳連接，所述二極管D1與MS1117-3.3芯片的In引腳連接點(diǎn)還與電容C16一端連接，所述MS1117-3.3芯片的TAB引腳和Out引腳連接后分別與電容C17的一端、電容C18的一端以及電感線圈L2的一端連接，所述電感線圈L2另一端與電容C19一端連接，所述電容C16的另一端、電容C17的另一端、電容C18另一端、電容C19另一端以及MS1117-3.3芯片的GND引腳與電池負(fù)極輸出端連接同時(shí)接地。