[發明專利]顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202010693758.3
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111785758A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 趙慧慧;卜呈浩
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;G09F9/30
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種顯示面板，包括第一區和連接于所述第一區的彎折的第二區，其特征在于，所述顯示面板包括：

柔性基板，其中，所述柔性基板的底部設有第一開口，所述第一開口位于所述第二區內；

位于所述柔性基板遠離所述第一開口一側上的第一無機層；

位于所述第一無機層上并位于所述第一區內的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管包括硅半導體層，所述第二薄膜晶體管包括金屬氧化物半導體層；

位于所述硅半導體層上的第二無機層，其中所述第二無機層設有第二開口，所述第二開口位于所述第二區內，所述第二開口與所述第一開口至少部分重疊；以及

位于所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管和所述第二無機層上的有機層，所述有機層位于所述第二開口內。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二無機層包括位于所述硅半導體層上的第一柵極絕緣層，所述第二開口部分貫穿所述第一柵極絕緣層。

3.如權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，還包括位于所述第二開口內的信號線，所述信號線的底部與所述硅半導體層的頂部齊平。

4.如權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第二無機層還包括位于所述第一柵極絕緣層上的第二絕緣層、位于所述第二絕緣層上的第一層間介電層、位于所述第一層間介電層上的第三柵極絕緣層，以及位于所述第三柵極絕緣層上的第二層間介電層；

所述第一薄膜晶體管還包括位于所述第一柵極絕緣層和所述第二絕緣層之間且對應于所述硅半導體層的第一柵極、位于所述第二絕緣層和所述第一層間介電層之間且對應于所述第一柵極的第一導電層，以及連接于所述硅半導體層的第一源極和第一漏極；

所述第二薄膜晶體管的所述金屬氧化物半導體層位于所述第一層間介電層和所述第三柵極絕緣層之間，所述第二薄膜晶體管還包括位于所述第二絕緣層和所述第一層間介電層之間且對應于所述金屬氧化物半導體層的第三柵極、位于所述第三柵極絕緣層和所述第二層間介電層之間且對應于所述金屬氧化物半導體層的第四柵極，以及連接于所述金屬氧化物半導體層的第二源極和第二漏極，其中，所述第一源極和所述第一漏極，以及所述第二源極和所述第二漏極同層。

5.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二開口遠離所述柔性基板的頂部大于所述第二開口的底部。

6.如權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一開口大于或等于所述第二開口的頂部，或者，所述第一開口大于或等于所述第二開口的所述底部且小于所述第二開口的所述頂部。

7.如權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一開口遠離所述第一無機層的底部大于所述第一開口的頂部。

8.如權利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述第一開口的傾斜角大于所述第二開口的傾斜角。

9.如權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一開口的中心部分的深度大于所述第一開口的周圍部分的深度，其中，所述中心部分與所述第二開口的所述底部重疊。

10.如權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一開口有多個，多個所述第一開口相互間隔設置在所述柔性基板上。

11.如權利要求10所述的顯示面板，其特征在于，位于中心部分的所述第一開口的深度大于位于周圍部分的所述第一開口的深度；或者，位于中心部分的所述第一開口的寬度大于位于周圍部分的所述第一開口的寬度；或者位于中心部分的多個所述第一開口的分布密度大于位于周圍部分的多個所述第一開口的分布密度。

12.如權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第二開口的深度為1.1μm-1.4μm，所述第二開口的傾斜角為30°-60°。