[發明專利]一種SmCo垂直磁各向異性薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010693696.6
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111962024B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 邱兆國;魏盧;曾德長;鄭志剛;洪源
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/58;C23C14/35;H01F41/18
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 齊鍵

1.一種SmCo垂直磁各向異性薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)通過磁控濺射制備Cr/Cu/SmCo/Cr結構的磁性薄膜；

2)將步驟1)的磁性薄膜放入紅外退火爐，以5～20℃/s的升溫速率將爐內溫度升至350～500℃，再保溫5～10min，得到SmCo垂直磁各向異性薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟1)中進行磁控濺射時對Cu靶和SmCo合金靶進行直流濺射，濺射功率為60～80W。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟1)中進行磁控濺射時對Cr靶進行射頻濺射，濺射功率為120～150W。

4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟1)中進行磁控濺射所用的基片為單晶Si(100)基片。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述單晶Si(100)基片在使用前進行過清洗。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于：步驟1)中進行磁控濺射時靶材與單晶Si(100)基片的垂直距離為6～10cm。

7.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟1)中進行磁控濺射時磁控濺射系統的本底真空度為8×10^-5～1×10^-4Pa。

8.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟1)所述磁性薄膜中Cr層的厚度為10～30nm，Cu層的厚度為10～80nm，SmCo層的厚度為100～400nm。

9.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟2)所述紅外退火爐的本底真空度為4×10^-3～6×10^-3Pa。

10.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟1)所述磁控濺射的工作氣體為氬氣；步驟2)所述紅外退火爐中充有保護氣。