[發明專利]一種一次可編程器件的制造方法

有效

• 申請號: 202010693357.8
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111799158B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 陳宏
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/324;H01L21/28;H01L21/8246;H01L29/423
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述一次可編程器件的制造方法包括：

提供一硅襯底，并在所述硅襯底上形成分立的淺柵隔離溝槽結構；

對所述硅襯底進行離子注入，以形成阱區；

形成一護層，所述護層至少覆蓋所述硅襯底的露出部分；

對所述硅襯底執行退火，以激活注入的離子；

去除所述護層；

在相鄰所述淺柵隔離溝槽結構間的所述硅襯底上形成分立的控制柵結構和浮柵結構，所述控制柵結構包括自下而上依次堆疊的柵氧化層和控制柵多晶硅層，所述浮柵結構包括自下而上依次堆疊的隧穿氧化層和浮柵多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述護層的厚度為

3.根據權利要求1所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述護層為二氧化硅層。

4.根據權利要求3所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述去除所述護層的方法包括：

對所述護層進行灰化處理；

使用氟化氫液體將灰化處理后的所述護層清洗干凈。

5.根據權利要求4所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述灰化處理的溫度為230～270℃，所述灰化處理的氣體為氧氣、氫氣和氮氣的混合氣體。

6.根據權利要求1所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，對所述硅襯底執行退火的方法為快速熱退火工藝。

7.根據權利要求1所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述在相鄰所述淺柵隔離溝槽結構間的所述硅襯底上形成分立的控制柵結構和浮柵結構的方法包括：

在所述硅襯底上自下而上依次形成氧化層和多晶硅層；

刻蝕所述多晶硅層和所述氧化層，以形成分立的控制柵結構和浮柵結構。

8.根據權利要求7所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述氧化層的形成方法為：采用熱氧化工藝形成所述氧化層。

9.根據權利要求1所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，在形成分立的控制柵結構和浮柵結構之后，所述一次可編程器件的制造方法還包括：

形成控制柵側墻和浮柵側墻，所述控制柵側墻覆蓋所述控制柵多晶硅層的側壁和所述柵氧化層的側壁，所述浮柵側墻覆蓋所述浮柵多晶硅層的側壁和所述隧穿氧化層的側壁；

對所述硅襯底進行離子注入，以形成源區和漏區；

形成介質層，所述介質層覆蓋所述浮柵側墻和所述浮柵多晶硅層的露出部分。

10.根據權利要求9所述的一次可編程器件的制造方法，其特征在于，所述介質層包括自下而上依次堆疊的氧化硅層和氮化硅層。