[發(fā)明專利]屏蔽柵溝槽型MOSFET器件及其制造方法

有效

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• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN111863969B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 李豪;張杰;胡舜濤;潘曉偉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海陸芯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，并在所述半導體襯底上形成溝槽；其中，所述半導體襯底的上表面設置有第一絕緣層，所述溝槽由所述半導體襯底和所述第一絕緣層圍合而成；

在所述溝槽側(cè)壁上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成第三絕緣層，且所述第三絕緣層和所述第二絕緣層的材料不同；

在所述第三絕緣層上形成第四絕緣層；

在所述溝槽底部形成屏蔽導體；

在所述屏蔽導體上形成柵極導體，所述柵極導體的上表面與所述第一絕緣層的上表面齊平；

去除所述第一絕緣層，所述柵極導體的上表面高出所述半導體襯底的上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度與所述柵極導體的厚度比值大于0.1。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度范圍為1000?~10000?。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述第四絕緣層和所述第二絕緣層的材料相同；

其中，所述第一絕緣層的材料為二氧化硅；所述第二絕緣層的材料為二氧化硅；所述第三絕緣層的材料為氮化硅；所述第四絕緣層的材料為二氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述屏蔽導體上形成柵極導體之前，還包括：

去除位于所述屏蔽導體上的第四絕緣層；

在所述屏蔽導體上形成第五絕緣層；

去除位于所述第五絕緣層上的第三絕緣層和第二絕緣層，露出所述半導體襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在所述屏蔽導體上形成柵極導體之前，還包括：

在所述溝槽側(cè)壁形成第六絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在去除所述第一絕緣層之后，還包括：

在所述半導體襯底上部依次形成體區(qū)和源區(qū)，所述體區(qū)和所述源區(qū)圍繞所述柵極導體；

在所述源區(qū)上形成第七絕緣層，所述第七絕緣層包覆所述柵極導體高出所述源區(qū)的部分；

在所述第七絕緣層上形成金屬層，所述金屬層包覆所述第七絕緣層、所述源區(qū)的側(cè)壁和所述體區(qū)。

8.一種屏蔽柵溝槽型MOSFET器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-7任一項所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件制造方法制造而成；

所述屏蔽柵溝槽型MOSFET器件包括：

半導體襯底，所述半導體襯底包括溝槽、位于所述溝槽外側(cè)的體區(qū)和源區(qū)；

屏蔽導體，位于所述溝槽底部；

柵極導體，位于所述屏蔽導體上，且所述柵極導體的上表面高出所述半導體襯底的源區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的屏蔽柵溝槽型MOSFET器件，其特征在于，還包括：

第七絕緣層，包覆所述柵極導體高出所述源區(qū)的部分；

金屬層，包覆所述第七絕緣層、所述源區(qū)的側(cè)壁和所述體區(qū)。