[發(fā)明專利]字線電容平衡

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010693180.1
• 申請日: 2020-07-17
• 公開（公告）號: CN112289350A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 科拉多·維拉;S·D·莫澤
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C8/14
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及字線電容平衡。一種存儲器裝置可包含一組存儲器區(qū)塊，其中一或多個存儲器區(qū)塊可位于所述組的邊界處。每一邊界存儲器區(qū)塊可具有與驅(qū)動器及存儲器單元子陣列耦合的字線，且還可包含與所述驅(qū)動器耦合的負(fù)載平衡組件(例如電容性組件)。在一些實例中，所述負(fù)載平衡組件可與所述驅(qū)動器的輸出線(例如字線)或所述驅(qū)動器的輸入(例如提供源信號的線)耦合。所述負(fù)載平衡組件可使從所述驅(qū)動器輸出的負(fù)載適應(yīng)所述存儲器單元子陣列，使得所述邊界處的所述存儲器區(qū)塊的所述負(fù)載可類似于不在所述邊界處的其它存儲器區(qū)塊的所述負(fù)載。

交叉參考

本專利申請案主張由維拉(Villa)等人于2019年7月22日申請的標(biāo)題為“字線電容平衡(WORDLINE CAPACITANCE BALANCING)”的第16/518,824號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)，所述申請案轉(zhuǎn)讓給其受讓人且其全部內(nèi)容以引用的方式明確并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

技術(shù)領(lǐng)域涉及字線電容平衡。

背景技術(shù)

下文大體上涉及一種包含至少一個存儲器裝置的系統(tǒng)，且更特定來說，涉及字線電容平衡。

存儲器裝置被廣泛用于在例如計算機(jī)、無線通信裝置、照相機(jī)、數(shù)字顯示器及類似者的各種電子裝置中存儲信息。通過對存儲器裝置的不同狀態(tài)編程來存儲信息。舉例來說，二進(jìn)制裝置最常存儲兩種狀態(tài)中的一者，通常由邏輯1或邏輯0表示。在其它裝置中，可存儲兩種以上狀態(tài)。為存取存儲信息，裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的至少一種存儲狀態(tài)。為存儲信息，裝置的組件可在存儲器裝置中寫入或編程狀態(tài)。

存在各種類型的存儲器裝置，其包含磁性硬盤、隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻性RAM(RRAM)、閃存、相變存儲器(PCM)等。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。非易失性存儲器(例如FeRAM)可長時間維持其存儲邏輯狀態(tài)，即使缺少外部電源。易失性存儲器裝置(例如DRAM)會在與外部電源斷開連接時丟失其存儲狀態(tài)。FeRAM能夠?qū)崿F(xiàn)類似于易失性存儲器的密度，但由于使用鐵電電容器作為存儲裝置，因此可具有非易失性。

針對一些存儲器裝置，存儲器單元子陣列(例如存儲器區(qū)塊)可經(jīng)布置使得一些存儲器區(qū)塊的電路系統(tǒng)經(jīng)歷不同于其它存儲器區(qū)塊的電路系統(tǒng)的負(fù)載。跨越相應(yīng)存儲器區(qū)塊的此不一致負(fù)載會導(dǎo)致較高錯誤率及其它問題。

發(fā)明內(nèi)容

描述一種設(shè)備。所述設(shè)備可包含：存儲器區(qū)塊，其位于多個存儲器區(qū)塊的邊界處且包括存儲器單元陣列；字線，其與所述存儲器單元陣列及驅(qū)動器耦合，所述字線與總電容性負(fù)載相關(guān)聯(lián)；及電容性組件，其與所述驅(qū)動器耦合以使從所述驅(qū)動器輸出的負(fù)載適應(yīng)所述存儲器單元陣列，所述負(fù)載包括所述總電容性負(fù)載的至少一部分。

描述另一種設(shè)備。所述設(shè)備可包含：第一線，其與驅(qū)動器的輸入耦合；第二線，其與所述驅(qū)動器的輸出耦合，所述第二線與總電容性負(fù)載相關(guān)聯(lián)；多個存儲器單元，其與所述第二線耦合；及電容性組件，其與所述第二線耦合，所述電容性組件使從所述驅(qū)動器輸出的負(fù)載適應(yīng)所述多個存儲器單元，所述負(fù)載包括所述總電容性負(fù)載的至少一部分。

描述另一種設(shè)備。所述設(shè)備可包含：存儲器陣列的多個存儲器區(qū)塊，其中所述多個存儲器區(qū)塊中的第一存儲器區(qū)塊經(jīng)配置為與所述存儲器陣列中的兩個其它存儲器區(qū)塊共享電連接的第一類型的存儲器區(qū)塊，且其中所述多個存儲器區(qū)塊中的第二存儲器區(qū)塊經(jīng)配置為與所述存儲器陣列中的一個其它存儲器區(qū)塊共享電連接的第二類型的存儲器區(qū)塊；及電容性組件，其使總電容性負(fù)載的至少一部分適應(yīng)所述第二存儲器區(qū)塊。

附圖說明

圖1說明根據(jù)本文中揭示的實例的支持字線電容平衡的系統(tǒng)的實例。

圖2說明根據(jù)本文中揭示的實例的支持字線電容平衡的存儲器裸片的實例。