[發(fā)明專利]一種CMOS像素傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010693043.8 | 申請日: | 2020-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN111769130B | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張亮;王萌;董家寧;王安慶;李龍 | 申請(專利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人: | 趙敏玲 |
| 地址: | 266237 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cmos 像素 傳感器 | ||
本發(fā)明公開了一種CMOS像素傳感器,包括P型襯底、P型高阻外延層、N阱、P阱、深N阱和深P隔離層;其中,深N阱和P型高阻外延層形成P?N二極管;深N阱上的N阱和N型有源區(qū)構(gòu)成通路,通過金屬線連接其他讀出電路;深P隔離層用來隔離深N阱內(nèi)的器件,深P隔離層內(nèi)的N阱和P型有源區(qū)用于制作PMOS晶體管,深P隔離層內(nèi)的P阱和N型有源區(qū)用于制作NMOS管。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域,一種CMOS像素傳感器。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)工業(yè)和光刻技術(shù)的發(fā)展,CMOS像素傳感器在X射線成像和粒子探測中的應(yīng)用越來越廣泛,其具有空間分辨率高、讀出速度快、集成度高、功耗低以及成本低等特點,逐漸成為重要的檢測技術(shù)。
但是,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)CMOS像素傳感器中的像素采用小面積二極管收集電荷,二極管面積在像素單元中的比例較小,導(dǎo)致電荷在收集過程中被復(fù)合,電荷收集時間較長、收集效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本發(fā)明的的目的是提供一種CMOS像素傳感器及像素單元,該裝置能夠有效縮短電荷收集時間,提高了收集效率和靈敏度。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明是通過如下的技術(shù)方案來實現(xiàn):
第一方面,本發(fā)明提供了一種CMOS像素傳感器,包括P型襯底、P型高阻外延層、N阱、P阱、深N阱和深P隔離層;
深N阱和P型高阻外延層形成P-N二極管;
深N阱上的N阱和N型有源區(qū)(N+)構(gòu)成通路,通過金屬線連接其他讀出電路;
深P隔離層用來隔離深N阱內(nèi)的器件,避免了PMOS晶體管與靈敏二極管之間的電荷競爭,在深P隔離層內(nèi)可同時制作PMOS和NMOS管,能夠?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜CMOS電路,這有助于在像素內(nèi)實現(xiàn)復(fù)雜電路,對像素信號進行放大和降噪處理;
N阱和P型有源區(qū)(P+)用于制作PMOS晶體管,P阱和N型有源區(qū)(N+)用于制作NMOS管。
作為進一步的技術(shù)方案,P型高阻外延層電阻率大于1KΩ·cm。
更進一步,P-N二極管所在陽極區(qū)連接有反偏電壓,用于加快電荷收集。
作為進一步的技術(shù)方案,所述的CMOS像素傳感器,還包括多個像素單元,多個像素單元構(gòu)成一個像素陣列,每個像素單元內(nèi)鋪滿深N阱,使整個像素單元作為一個二極管。
作為進一步的技術(shù)方案,每個像素單元包括依次連接的校準(zhǔn)測試電路、電荷靈敏放大器、整形器、比較器和事例驅(qū)動電路。
校準(zhǔn)測試電路由Cinj電容和外部觸發(fā)信號組成,用于模擬外部電荷注入,標(biāo)定像素內(nèi)部電路性能。
所述電荷靈敏放大器的增益約為1/Cf,定制MOM電容作為反饋電容。
所述的整形器采用CR-RC結(jié)構(gòu)。
所述的比較器采用兩級結(jié)構(gòu),第一級完成差分放大功能,第二級完成正反饋比較功能。
所述的事例驅(qū)動電路完成優(yōu)先判斷功能,如果某像素被粒子擊中,事例驅(qū)動電路將判斷信號傳輸至列端,完成優(yōu)先觸發(fā)。
作為進一步的技術(shù)方案,CMOS像素傳感器還配置像素配置電路、時序邏輯、偏置電路、時鐘電路和控制接口;所述的像素配置電路、時序邏輯、偏置電路、時鐘電路均與像素陣列相連。
所述的控制接口主要用來調(diào)節(jié)偏置參數(shù)以及使能信號,使芯片工作在最佳狀態(tài)。所述的像素配置電路用于像素內(nèi)部電路性能標(biāo)定。所述時序邏輯用于像素內(nèi)部邏輯電路。所述偏置電路主要向像素單元電路提供靜態(tài)工作點。所述時鐘電路主要向數(shù)據(jù)處理模塊提供高速時鐘。
上述本發(fā)明的有益效果如下:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





